| Attributes | Values |
|---|
| rdf:type
| |
| rdfs:seeAlso
| |
| Description
| - Nástroj pro leptání zadních stran Si desek, tzv. „back-side etch“, je vyroben z vysoce odolného materiálu Ketron PEEK. Materiál odolává většině leptadel na bázi kyselin (fluorovodíková, chlorovodíková, dusičná, sírová a další) a také leptadlům na bázi hydroxidů (draselný, sodný, TMAH a další). Do nástroje se vloží 4“ Si deska popř. dvě desky. Po té se připojí vzduch a diferenční senzor tlaku, který detekuje případné podtečení. Celý přípravek je možné vložit do leptací vany a leptat tak pouze zadní část desky. Vyrobený nástroj je možné používat pro leptání membránek na zadních stranách Si desek, přičemž přední strana je chráněna proti leptadlu. Tohoto se využívá především v senzorických systémech v MEMS technologiích.
- Nástroj pro leptání zadních stran Si desek, tzv. „back-side etch“, je vyroben z vysoce odolného materiálu Ketron PEEK. Materiál odolává většině leptadel na bázi kyselin (fluorovodíková, chlorovodíková, dusičná, sírová a další) a také leptadlům na bázi hydroxidů (draselný, sodný, TMAH a další). Do nástroje se vloží 4“ Si deska popř. dvě desky. Po té se připojí vzduch a diferenční senzor tlaku, který detekuje případné podtečení. Celý přípravek je možné vložit do leptací vany a leptat tak pouze zadní část desky. Vyrobený nástroj je možné používat pro leptání membránek na zadních stranách Si desek, přičemž přední strana je chráněna proti leptadlu. Tohoto se využívá především v senzorických systémech v MEMS technologiích. (cs)
- Back-side etching tool of Si wafers is made from highly durable material Ketron PEEK. The material is resistant to most etchants based acids (hydrofluoric acid, hydrochloric acid, nitric acid, sulfuric acid, etc.) to and also etchants based hydroxides (potassium, sodium, TMAH, etc.). One or two 4 %22Si wafers can be inserted into the tool. After that the air is leaded to the tool and included differential pressure sensor can detects potential underflow. The whole tool can be inserted into the etching bath and back-side of the wafer is etched only. This made tool can be used for etching micro-membranes on the rear sides of Si wafers, the front side is protected from etch. This is mainly used tool in MEMS technology for sensor systems manufacturing. (en)
|
| Title
| - Back-side etching tool (en)
- Nástroj pro leptání zadních stran Si desek
- Nástroj pro leptání zadních stran Si desek (cs)
|
| skos:prefLabel
| - Back-side etching tool (en)
- Nástroj pro leptání zadních stran Si desek
- Nástroj pro leptání zadních stran Si desek (cs)
|
| skos:notation
| - RIV/00216305:26620/13:PR27300!RIV14-GA0-26620___
|
| http://linked.open...avai/riv/aktivita
| |
| http://linked.open...avai/riv/aktivity
| - P(ED1.1.00/02.0068), P(GA13-18219S), P(GA13-19947S)
|
| http://linked.open...vai/riv/dodaniDat
| |
| http://linked.open...aciTvurceVysledku
| |
| http://linked.open.../riv/druhVysledku
| |
| http://linked.open...iv/duvernostUdaju
| |
| http://linked.open...onomickeParametry
| - Materiál: 10 tis. Know-how: 50 tis Kč
|
| http://linked.open...titaPredkladatele
| |
| http://linked.open...dnocenehoVysledku
| |
| http://linked.open...ai/riv/idVysledku
| - RIV/00216305:26620/13:PR27300
|
| http://linked.open...terniIdentifikace
| |
| http://linked.open...riv/jazykVysledku
| |
| http://linked.open...vai/riv/kategorie
| |
| http://linked.open.../riv/klicovaSlova
| - etching, protection, underflow detection (en)
|
| http://linked.open.../riv/klicoveSlovo
| |
| http://linked.open...ontrolniKodProRIV
| |
| http://linked.open.../licencniPoplatek
| |
| http://linked.open...in/vavai/riv/obor
| |
| http://linked.open...ichTvurcuVysledku
| |
| http://linked.open...cetTvurcuVysledku
| |
| http://linked.open...vavai/riv/projekt
| |
| http://linked.open...UplatneniVysledku
| |
| http://linked.open...echnickeParametry
| - Funkční vzorek byl na základě získaných poznatků zkonstruován a ověřen. Je využíván na pracovišti řešitele LabSensNano (VUT v Brně, Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií, Ústav mikroelektroniky, Technická 3058/10, 616 00 Brno, Česká republika). Materiál - vysoce odolný Ketron PEEK, velikost Si desek 4“, detekce podtečení.
|
| http://linked.open...iv/tvurceVysledku
| - Hubálek, Jaromír
- Pekárek, Jan
- Svatoš, Vojtěch
- Neužil, Pavel
|
| http://linked.open...avai/riv/vlastnik
| |
| http://linked.open...itiJinymSubjektem
| |
| http://localhost/t...ganizacniJednotka
| |
![[RDF Data]](/fct/images/sw-rdf-blue.png)
![[cxml]](/fct/images/cxml_doc.png)
![[csv]](/fct/images/csv_doc.png)
![[text]](/fct/images/ntriples_doc.png)
![[turtle]](/fct/images/n3turtle_doc.png)
![[ld+json]](/fct/images/jsonld_doc.png)
![[rdf+json]](/fct/images/json_doc.png)
![[rdf+xml]](/fct/images/xml_doc.png)
![[atom+xml]](/fct/images/atom_doc.png)
![[html]](/fct/images/html_doc.png)