About: Local topography of opto-electronic substrates prepared by plasma etching

Facets (new session)
Description
Metadata
Settings
- owl:sameAs
- Inference Rule:

About: Local topography of opto-electronic substrates prepared by plasma etching Goto Sponge NotDistinct Permalink

An Entity of Type : http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/Vysledek, within Data Space : linked.opendata.cz associated with source document(s)

Attributes	Values
rdf:type	skos:Concept http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/Vysledek
Description	The study performs comparison of the etch rates Al2O3 and SiC. These materials have a wide range of optoelectronic applications. Cleaning of the substrate and consequent preparation of the heterostructure could be combine in one process circle using this technology. Variation of the etching parameters allows to find the conditions of substrate processing which will satisfy performance requirements. (en) Rychlost leptání karbidu křemíku a oxidu hlinitého byla studováná v závislosti na úhlu leptacího materiálu a toku plazmy. Al2O3 a SiC jsou zajímavé materiály pro konstrukci optických a elektronických zařízení a topografie waferů má velký vliv na kvalitu zařízení. Argon byl použit pro suché leptání Al2O3 a SiC. Je definován sklon waferů na nejvyšší získanou rychlost leptání je definován. Mikroskopie atomárních sil byla použita ke kontrole morfologie leptaných waferů. Statistická a korelační analýza byla použita pro odhad povrchové dokonalosti. Interferometrie byl použit k nalezení rychlost leptání. Rychlost leptání karbidu křemíku a oxidu hlinitého byla studováná v závislosti na úhlu leptacího materiálu a toku plazmy. Al2O3 a SiC jsou zajímavé materiály pro konstrukci optických a elektronických zařízení a topografie waferů má velký vliv na kvalitu zařízení. Argon byl použit pro suché leptání Al2O3 a SiC. Je definován sklon waferů na nejvyšší získanou rychlost leptání je definován. Mikroskopie atomárních sil byla použita ke kontrole morfologie leptaných waferů. Statistická a korelační analýza byla použita pro odhad povrchové dokonalosti. Interferometrie byl použit k nalezení rychlost leptání. (cs)
Title	Local topography of opto-electronic substrates prepared by plasma etching (en) Lokální topografie optoelektronických substrátů připravených pomocí plazmového leptání Lokální topografie optoelektronických substrátů připravených pomocí plazmového leptání (cs)
skos:prefLabel	Local topography of opto-electronic substrates prepared by plasma etching (en) Lokální topografie optoelektronických substrátů připravených pomocí plazmového leptání Lokální topografie optoelektronických substrátů připravených pomocí plazmového leptání (cs)
skos:notation	RIV/00216305:26220/14:PU111622!RIV15-MSM-26220___
http://linked.open...avai/riv/aktivita	P S
http://linked.open...avai/riv/aktivity	P(ED1.1.00/02.0068), P(ED2.1.00/03.0072), S
http://linked.open...iv/cisloPeriodika	11-12
http://linked.open...vai/riv/dodaniDat	2015
http://linked.open...aciTvurceVysledku	Tománek, Pavel Brüstlová, Jitka Dallaeva, Dinara Prokopyeva, Elena
http://linked.open.../riv/druhVysledku	J - Článek v odborném periodiku
http://linked.open...iv/duvernostUdaju	S - Úplné a pravdivé údaje nepodléhající ochraně podle zvláštních právních předpisů
http://linked.open...titaPredkladatele	Vysoké učení technické v Brně / Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií
http://linked.open...dnocenehoVysledku	26539
http://linked.open...ai/riv/idVysledku	RIV/00216305:26220/14:PU111622
http://linked.open...riv/jazykVysledku	cze - čeština
http://linked.open.../riv/klicovaSlova	etching, sapphire, silicon carbide, substrate, atomic force microscopy (en)
http://linked.open.../riv/klicoveSlovo	etching silicon carbide substrate sapphire atomic force microscopy
http://linked.open...odStatuVydavatele	CZ - Česká republika
http://linked.open...ontrolniKodProRIV	[43E6EEC29A7F]
http://linked.open...i/riv/nazevZdroje	Jemná mechanika a optika
http://linked.open...in/vavai/riv/obor	JA
http://linked.open...ichTvurcuVysledku	4 (xsd:int)
http://linked.open...cetTvurcuVysledku	5 (xsd:int)
http://linked.open...vavai/riv/projekt	Central european institute of technology Centre of sensor, information and communication systems
http://linked.open...UplatneniVysledku	2014
http://linked.open...v/svazekPeriodika	59
http://linked.open...iv/tvurceVysledku	Tománek, Pavel Dallaeva, Dinara Ramazanov, Shihgasan Prokopyeva, Elena Brüstlová, Jitka
issn	0447-6441
number of pages	4 (xsd:int)
http://localhost/t...ganizacniJednotka	26220

Faceted Search & Find service v1.16.118 as of Jun 21 2024

Alternative Linked Data Documents: ODE Content Formats:

RDF

ODATA

Microdata

About

OpenLink Virtuoso version 07.20.3240 as of Jun 21 2024, on Linux (x86_64-pc-linux-gnu), Single-Server Edition (126 GB total memory, 58 GB memory in use)
Data on this page belongs to its respective rights holders.
Virtuoso Faceted Browser Copyright © 2009-2024 OpenLink Software