About: Podprahový MOS-rezistor pro aplikace s nízkým napájecím napětím

Facets (new session)
Description
Metadata
Settings
- owl:sameAs
- Inference Rule:

About: Podprahový MOS-rezistor pro aplikace s nízkým napájecím napětím Goto Sponge NotDistinct Permalink

An Entity of Type : http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/Vysledek, within Data Space : linked.opendata.cz associated with source document(s)

Attributes	Values
rdf:type	skos:Concept http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/Vysledek
rdfs:seeAlso	http://spisy.upv.cz/Patents/FullDocuments/304/304766.pdf
Description	In this embodiment a bulk-controlled MOS resistor and the associated automatic tuning circuit are proposed. The MOS device operates in the subthreshold region and in linear regime offering relatively high resistance value. The resistance value is adjusted through the bulk terminal using a suitable automatic tuning circuit in order to achieve process and temperature stability. The automatic tuning circuit is based on the master-slave technique in which the resistance of a slave MOS device is locked by the automatic tuning circuit modifying appropriately the bulk-voltage of the master MOS device. The same bulk voltage is shared to the slave device. (en) Je prezentována koncepce nového aktivního integrovaného rezistoru, jenž je realizován prostřednictvím MOS tranzistoru, pracujícího v podprahové oblasti a lineárním režimu, díky čemuž dosahuje poměrně vysoké hodnoty odporu. Navrhované řešení využívá automatický ladicí obvod k nastavení a regulaci hodnoty odporu na principu %22master - slave%22 a zároveň k dosažení výrobní a teplotní stability rezistoru. Unikátnost tohoto návrhu spočívá v tom, že na rozdíl od stávajících řešení využívá svorky bulk MOS tranzistoru jako řídicího hradla (proto bulk-driven), a díky tomu je obvod schopen pracovat při nízkém napájecím napětí. Navrhovaný obvod slouží především pro oblast návrhu integrovaných obvodů pro biomedicínské aplikace. Je prezentována koncepce nového aktivního integrovaného rezistoru, jenž je realizován prostřednictvím MOS tranzistoru, pracujícího v podprahové oblasti a lineárním režimu, díky čemuž dosahuje poměrně vysoké hodnoty odporu. Navrhované řešení využívá automatický ladicí obvod k nastavení a regulaci hodnoty odporu na principu %22master - slave%22 a zároveň k dosažení výrobní a teplotní stability rezistoru. Unikátnost tohoto návrhu spočívá v tom, že na rozdíl od stávajících řešení využívá svorky bulk MOS tranzistoru jako řídicího hradla (proto bulk-driven), a díky tomu je obvod schopen pracovat při nízkém napájecím napětí. Navrhovaný obvod slouží především pro oblast návrhu integrovaných obvodů pro biomedicínské aplikace. (cs)
Title	Podprahový MOS-rezistor pro aplikace s nízkým napájecím napětím Podprahový MOS-rezistor pro aplikace s nízkým napájecím napětím (cs) Bulk-controlled sub-threshold MOS resistors for low-voltage applications (en)
skos:prefLabel	Podprahový MOS-rezistor pro aplikace s nízkým napájecím napětím Podprahový MOS-rezistor pro aplikace s nízkým napájecím napětím (cs) Bulk-controlled sub-threshold MOS resistors for low-voltage applications (en)
skos:notation	RIV/00216305:26220/14:PA21134!RIV15-MSM-26220___
http://linked.open...avai/riv/aktivita	P
http://linked.open...avai/riv/aktivity	P(ED2.1.00/03.0072)
http://linked.open...cisloPatentuVzoru	304766
http://linked.open...eleniPatentuVzoru	2014-08-20 (xsd:date)
http://linked.open...vai/riv/dodaniDat	2015
http://linked.open...aciTvurceVysledku	Khateb, Fabian
http://linked.open.../riv/druhVysledku	P - Patent
http://linked.open...iv/duvernostUdaju	S - Úplné a pravdivé údaje nepodléhající ochraně podle zvláštních právních předpisů
http://linked.open...titaPredkladatele	Vysoké učení technické v Brně / Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií
http://linked.open...dnocenehoVysledku	37081
http://linked.open...ai/riv/idVysledku	RIV/00216305:26220/14:PA21134
http://linked.open...riv/jazykVysledku	cze - čeština
http://linked.open.../riv/klicovaSlova	Sub-threshold MOS resistors (en)
http://linked.open.../riv/klicoveSlovo	Sub-threshold MOS resistors
http://linked.open...ontrolniKodProRIV	[2B06C4D2FC77]
http://linked.open.../licencniPoplatek	N - Poskytovatel licence na výsledek nepožaduje licenční poplatek
http://linked.open...ydaniPatentuVzoru	Prague
http://linked.open...atelePatentuVzoru	Úřad průmyslového vlastnictví
http://linked.open...in/vavai/riv/obor	JA
http://linked.open...ichTvurcuVysledku	1 (xsd:int)
http://linked.open...cetTvurcuVysledku	2 (xsd:int)
http://linked.open...vavai/riv/projekt	Centre of sensor, information and communication systems
http://linked.open...UplatneniVysledku	2014
http://linked.open...ydaniPatentuVzoru	CZ - Česká republika
http://linked.open...iv/tvurceVysledku	Khateb, Fabian Vlassis, Spyridon
http://linked.open...mniOchranaPatentu	E - Úřad průmyslového vlastnictví ČR
http://linked.open...avai/riv/vlastnik	Vysoké učení technické v Brně, Brno, CZ
http://linked.open...itiJinymSubjektem	A - Nabytí licence je nutné vždy
http://linked.open...uzitiPatentuVzoru	A - Pouze udělený nebo využívaný pouze vlastníkem
http://linked.open...stnikPatentuVzoru	Vysoké učení technické v Brně, Brno, CZ
http://localhost/t...ganizacniJednotka	26220

Faceted Search & Find service v1.16.118 as of Jun 21 2024

Alternative Linked Data Documents: ODE Content Formats:

RDF

ODATA

Microdata

About

OpenLink Virtuoso version 07.20.3240 as of Jun 21 2024, on Linux (x86_64-pc-linux-gnu), Single-Server Edition (126 GB total memory, 112 GB memory in use)
Data on this page belongs to its respective rights holders.
Virtuoso Faceted Browser Copyright © 2009-2024 OpenLink Software