About: Fast operating SiC MOSFET or IGBT gate driver

Facets (new session)
Description
Metadata
Settings
- owl:sameAs
- Inference Rule:

About: Fast operating SiC MOSFET or IGBT gate driver Goto Sponge NotDistinct Permalink

An Entity of Type : http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/Vysledek, within Data Space : linked.opendata.cz associated with source document(s)

Attributes	Values
rdf:type	skos:Concept http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/Vysledek
rdfs:seeAlso	http://www.uvee.feec.vutbr.cz/fvzorky
Description	The GD001 gate driver galvanically isolates control circuits from the switching power stage. The controlled devices could be either SiC MOSFET, IGBT or Si MOSFET. Output current is up to 4A peak. Small resonant DC/DC power converter ensures the galvanic isolation of the supply voltage. When compared to any of the commercially available gate drivers, the GD001 gate driver allows much higher switching frequencies (up to 2MHz). Exceptionally low coupling capacitance enables reaching very high voltage change steepness (dV/dt) across the isolation barrier. (en) Budič GD001 zajišťuje galvanické oddělení řídicích obvodů od spínacích prvků. Těmi mohou být tranzistory SiC MOSFET (z perspektivního karbidu křemíku), IGBT nebo klasické Si MOSFET. Výstup budiče je dimenzován na špičkový proud až 4A. Galvanické oddělení napájecího napětí budiče zajišťuje rezonanční DC/DC měnič malého výkonu. Na rozdíl od komerčně dostupných budičů umožňuje budič GD001 dosažení podstatně vyšších spínacích kmitočů - až 2 MHz. Velmi malá paraziní vazební kapacita izolační bariéry dále umožňuje dosažení velmi vysoké strmosti změny napětí na izolační bariéře (dU/dt). Budič GD001 zajišťuje galvanické oddělení řídicích obvodů od spínacích prvků. Těmi mohou být tranzistory SiC MOSFET (z perspektivního karbidu křemíku), IGBT nebo klasické Si MOSFET. Výstup budiče je dimenzován na špičkový proud až 4A. Galvanické oddělení napájecího napětí budiče zajišťuje rezonanční DC/DC měnič malého výkonu. Na rozdíl od komerčně dostupných budičů umožňuje budič GD001 dosažení podstatně vyšších spínacích kmitočů - až 2 MHz. Velmi malá paraziní vazební kapacita izolační bariéry dále umožňuje dosažení velmi vysoké strmosti změny napětí na izolační bariéře (dU/dt). (cs)
Title	Fast operating SiC MOSFET or IGBT gate driver (en) Rychlý budič tranzistorů SiC MOSFET a IGBT Rychlý budič tranzistorů SiC MOSFET a IGBT (cs)
skos:prefLabel	Fast operating SiC MOSFET or IGBT gate driver (en) Rychlý budič tranzistorů SiC MOSFET a IGBT Rychlý budič tranzistorů SiC MOSFET a IGBT (cs)
skos:notation	RIV/00216305:26220/13:PR27108!RIV15-MSM-26220___
http://linked.open...avai/riv/aktivita	P S
http://linked.open...avai/riv/aktivity	P(ED0014/01/01), S
http://linked.open...vai/riv/dodaniDat	2015
http://linked.open...aciTvurceVysledku	Patočka, Miroslav Vašíček, Adam
http://linked.open.../riv/druhVysledku	G/B - Funkční vzorek
http://linked.open...iv/duvernostUdaju	C - Předmět podléhá obchodnímu tajemství (§17 až 20 Obchodního zákoníku), ale některé údaje jsou upraveny tak, aby byly zveřejnitelné
http://linked.open...onomickeParametry	Na rozdíl od existujících řešení umožní bez problémů dosáhnout vysokých spínacích kmitočtů za přijatelnou cenu.
http://linked.open...titaPredkladatele	Vysoké učení technické v Brně / Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií
http://linked.open...dnocenehoVysledku	103819
http://linked.open...ai/riv/idVysledku	RIV/00216305:26220/13:PR27108
http://linked.open...terniIdentifikace	GD001
http://linked.open...riv/jazykVysledku	cze - čeština
http://linked.open...vai/riv/kategorie	A - Do 5 mil. Kč
http://linked.open.../riv/klicovaSlova	SiC,MOSFET,IGBT,gate driver,DC/DC,resonant (en)
http://linked.open.../riv/klicoveSlovo	gate driver IGBT DC/DC MOSFET resonant SiC
http://linked.open...ontrolniKodProRIV	[40AEE20DC820]
http://linked.open.../licencniPoplatek	A - Poskytovatel licence na výsledek požaduje licenční poplatek
http://linked.open...in/vavai/riv/obor	JA
http://linked.open...ichTvurcuVysledku	2 (xsd:int)
http://linked.open...cetTvurcuVysledku	2 (xsd:int)
http://linked.open...vavai/riv/projekt	Research and Technology Centre of Renewable Energy Sources
http://linked.open...UplatneniVysledku	2013
http://linked.open...echnickeParametry	Napájecí napětí 15V +-2V Maximální příkon 2W Pracovní kmitočet budiče 0-2MHz Špičkový výstupní proud až 4A Odolnost dU/dt minimálně 50kV/us Rozměry 81x30x8 mm
http://linked.open...iv/tvurceVysledku	Patočka, Miroslav Vašíček, Adam
http://linked.open...avai/riv/vlastnik	Centrum výzkumu a využití obnovitelných zdrojů energie
http://linked.open...itiJinymSubjektem	A - Nabytí licence je nutné vždy
http://localhost/t...ganizacniJednotka	26220

Faceted Search & Find service v1.16.118 as of Jun 21 2024

Alternative Linked Data Documents: ODE Content Formats:

RDF

ODATA

Microdata

About

OpenLink Virtuoso version 07.20.3240 as of Jun 21 2024, on Linux (x86_64-pc-linux-gnu), Single-Server Edition (126 GB total memory, 67 GB memory in use)
Data on this page belongs to its respective rights holders.
Virtuoso Faceted Browser Copyright © 2009-2024 OpenLink Software