About: High voltage area for the half bridge driver

Facets (new session)
Description
Metadata
Settings
- owl:sameAs
- Inference Rule:

About: High voltage area for the half bridge driver Goto Sponge NotDistinct Permalink

An Entity of Type : http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/Vysledek, within Data Space : linked.opendata.cz associated with source document(s)

Attributes	Values
rdf:type	skos:Concept http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/Vysledek
rdfs:seeAlso	http://www.umel.feec.vutbr.cz/vyzkum/vysledky/funkcni-vzorky/prokop-half-bridge-driver.pdf
Description	Vysokonapěťová N oblast pro integraci řídicí části horního spínače spínaného zdroje topologie Half Bridge. Laterální izolace je tvořena vysokonapěťovým NMOS tranzistorem a je možno ji použít jako bootstrap pro plovoucí N oblast. Součástí N oblasti je i level shifter pro komunikaci mezi nízkonapěťovou a plovoucí vysokonapěťovou oblastí. Cílem struktury je ověřit odolnost plovoucí N oblasti vůči ESD. Struktura je navržena v technologii VHVIC3 firmy ON Semiconductor Vysokonapěťová N oblast pro integraci řídicí části horního spínače spínaného zdroje topologie Half Bridge. Laterální izolace je tvořena vysokonapěťovým NMOS tranzistorem a je možno ji použít jako bootstrap pro plovoucí N oblast. Součástí N oblasti je i level shifter pro komunikaci mezi nízkonapěťovou a plovoucí vysokonapěťovou oblastí. Cílem struktury je ověřit odolnost plovoucí N oblasti vůči ESD. Struktura je navržena v technologii VHVIC3 firmy ON Semiconductor (cs) High-voltage N area for the integration of the upper switch of power source with Half-bridge topology control part integration. Lateral izolation is formed by high voltage NMOS tranzistor and can be used as a bootstrap for floating N area. N area contains also level shifter for low-voltage and floating high voltage areas communication. The target of the structure is to verify immunity of the floating N area against the ESD. Structure is designed in VHVIC3 ON Semiconductor technology. (en)
Title	High voltage area for the half bridge driver (en) Vysokonapěťová oblast pro plovoucí half bridge driver Vysokonapěťová oblast pro plovoucí half bridge driver (cs)
skos:prefLabel	High voltage area for the half bridge driver (en) Vysokonapěťová oblast pro plovoucí half bridge driver Vysokonapěťová oblast pro plovoucí half bridge driver (cs)
skos:notation	RIV/00216305:26220/13:PR26830!RIV14-MSM-26220___
http://linked.open...avai/riv/aktivita	P
http://linked.open...avai/riv/aktivity	P(ED2.1.00/03.0072)
http://linked.open...vai/riv/dodaniDat	2014
http://linked.open...aciTvurceVysledku	Ptáček, Karel Prokop, Roman
http://linked.open.../riv/druhVysledku	G/B - Funkční vzorek
http://linked.open...iv/duvernostUdaju	S - Úplné a pravdivé údaje nepodléhající ochraně podle zvláštních právních předpisů
http://linked.open...onomickeParametry	vývoj 500 tis. Kč, know-how 150 tis. Kč
http://linked.open...titaPredkladatele	Vysoké učení technické v Brně / Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií
http://linked.open...dnocenehoVysledku	115769
http://linked.open...ai/riv/idVysledku	RIV/00216305:26220/13:PR26830
http://linked.open...terniIdentifikace	HVHBridgeESD
http://linked.open...riv/jazykVysledku	cze - čeština
http://linked.open...vai/riv/kategorie	A - Do 5 mil. Kč
http://linked.open.../riv/klicovaSlova	half bridge, floating N area, ESD (en)
http://linked.open.../riv/klicoveSlovo	ESD floating N area half bridge
http://linked.open...ontrolniKodProRIV	[8ACBE6DE9490]
http://linked.open.../licencniPoplatek	N - Poskytovatel licence na výsledek nepožaduje licenční poplatek
http://linked.open...in/vavai/riv/obor	JA
http://linked.open...ichTvurcuVysledku	2 (xsd:int)
http://linked.open...cetTvurcuVysledku	2 (xsd:int)
http://linked.open...vavai/riv/projekt	Centre of sensor, information and communication systems
http://linked.open...UplatneniVysledku	2013
http://linked.open...echnickeParametry	Funkční vzorek vznikl za účelem ověření vlastností a robustnosti vysokonapěťové izolace určené pro další generaci vysokonapěťových half bridge kontrolérů vyráběných firmou ON Semiconductor. Předchozí verze izolací nebyly dostatečně robustní vůči ESD. Dále nebylo možno izolaci řízeně otevřít a použít ji tak jako bootstrap spínač pro plovoucí N oblast.
http://linked.open...iv/tvurceVysledku	Prokop, Roman Ptáček, Karel
http://linked.open...avai/riv/vlastnik	Ústav mikroelektroniky
http://linked.open...itiJinymSubjektem	A - Nabytí licence je nutné vždy
http://localhost/t...ganizacniJednotka	26220

Faceted Search & Find service v1.16.118 as of Jun 21 2024

Alternative Linked Data Documents: ODE Content Formats:

RDF

ODATA

Microdata

About

OpenLink Virtuoso version 07.20.3240 as of Jun 21 2024, on Linux (x86_64-pc-linux-gnu), Single-Server Edition (126 GB total memory, 67 GB memory in use)
Data on this page belongs to its respective rights holders.
Virtuoso Faceted Browser Copyright © 2009-2024 OpenLink Software