About: Využití SiC a GaN technologií v moderních systémech pro přeměnu energie     Goto   Sponge   NotDistinct   Permalink

An Entity of Type : http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/Vysledek, within Data Space : linked.opendata.cz associated with source document(s)

AttributesValues
rdf:type
rdfs:seeAlso
Description
  • SiC a GaN polovodičové technologie jsou nejslibnější budoucí technologie spínacích součástek v oblasti výkonové elektroniky. Velikost intenzity elektrického pole při průrazu je až desetinásobně vyšší než u klasických Si technologií. První existující komerční výkonové polovodiče již dosahují závěrných napětí až 1700 V. Ve vývoji jsou již polovodiče se závěrným napětím až 10 kV. Díky vysoké hodnotě závěrného napětí lze zkrátit substrátovou vrstvu a docílit tak malého odporu kanálu. Odpor kanálu navíc nejméně oste s teplotou. Nové polovodiče jsou schopné pracovat s teplotou přechodu přes 300 C. Takto extrémně vysoké teploty dovolují nižší hmotnosti a objemy chladících soustav a tím i výraznou úsporu výrobních nákladů. Vysoké hodnoty elektronové pohyblivostí umožňují spínací frekvence daleko za 100 kHz i při vysokém napětí (>1 kV) a nízké přepínací ztráty. Z několika měření elektromagnetické komp
  • SiC a GaN polovodičové technologie jsou nejslibnější budoucí technologie spínacích součástek v oblasti výkonové elektroniky. Velikost intenzity elektrického pole při průrazu je až desetinásobně vyšší než u klasických Si technologií. První existující komerční výkonové polovodiče již dosahují závěrných napětí až 1700 V. Ve vývoji jsou již polovodiče se závěrným napětím až 10 kV. Díky vysoké hodnotě závěrného napětí lze zkrátit substrátovou vrstvu a docílit tak malého odporu kanálu. Odpor kanálu navíc nejméně oste s teplotou. Nové polovodiče jsou schopné pracovat s teplotou přechodu přes 300 C. Takto extrémně vysoké teploty dovolují nižší hmotnosti a objemy chladících soustav a tím i výraznou úsporu výrobních nákladů. Vysoké hodnoty elektronové pohyblivostí umožňují spínací frekvence daleko za 100 kHz i při vysokém napětí (>1 kV) a nízké přepínací ztráty. Z několika měření elektromagnetické komp (cs)
  • Paper gives closer prospection of new technologies of switching devices used in power electronic and describes their expected benefits in power conversion systems (motors, converters, electric sources, smart-grid systems). Semiconductor technologies ased on Silicon Carbide „SiC“ or Gallium Nitride are new technologies significantly improving static and dynamic parameters of the switching devices. SiC transistors and their behavior is very similar to conventional MOSFET Si transistor. But in many parameters re superior in comparison to Si transistors and improve than the efficiency of the power devices and the whole energy systems. Huge benefit is their breakdown voltage shifted up to 1200V and more in the near future. This allows their use in 3 phase supply stems which make up majority of the realized industrial application. Short switching and recovery times and allow shift switching frequency of the converters over 100kHz. High switching frequencies generally reduce weight and volume of the h (en)
Title
  • Využití SiC a GaN technologií v moderních systémech pro přeměnu energie
  • Využití SiC a GaN technologií v moderních systémech pro přeměnu energie (cs)
  • Utilization SiC and GaN technology in modern systems for energy conversion (en)
skos:prefLabel
  • Využití SiC a GaN technologií v moderních systémech pro přeměnu energie
  • Využití SiC a GaN technologií v moderních systémech pro přeměnu energie (cs)
  • Utilization SiC and GaN technology in modern systems for energy conversion (en)
skos:notation
  • RIV/00216305:26220/12:PU100568!RIV13-MPO-26220___
http://linked.open...avai/riv/aktivita
http://linked.open...avai/riv/aktivity
  • P(ED0014/01/01), P(FR-TI1/061), S
http://linked.open...vai/riv/dodaniDat
http://linked.open...aciTvurceVysledku
http://linked.open.../riv/druhVysledku
http://linked.open...iv/duvernostUdaju
http://linked.open...titaPredkladatele
http://linked.open...dnocenehoVysledku
  • 179691
http://linked.open...ai/riv/idVysledku
  • RIV/00216305:26220/12:PU100568
http://linked.open...riv/jazykVysledku
http://linked.open.../riv/klicovaSlova
  • SiC transistors, High switching frequency (en)
http://linked.open.../riv/klicoveSlovo
http://linked.open...ontrolniKodProRIV
  • [ABA3C74C5D9D]
http://linked.open...v/mistoKonaniAkce
  • Brno
http://linked.open...i/riv/mistoVydani
  • Brno
http://linked.open...i/riv/nazevZdroje
  • Proceedings of the 13th Internationnal Scientific Conference Electric Power Engineering 2012, Volume 1
http://linked.open...in/vavai/riv/obor
http://linked.open...ichTvurcuVysledku
http://linked.open...cetTvurcuVysledku
http://linked.open...vavai/riv/projekt
http://linked.open...UplatneniVysledku
http://linked.open...iv/tvurceVysledku
  • Pazdera, Ivo
  • Procházka, Petr
http://linked.open...vavai/riv/typAkce
http://linked.open.../riv/zahajeniAkce
number of pages
http://purl.org/ne...btex#hasPublisher
  • Vysoké učení technické v Brně
https://schema.org/isbn
  • 978-80-214-4514-7
http://localhost/t...ganizacniJednotka
  • 26220
Faceted Search & Find service v1.16.118 as of Jun 21 2024


Alternative Linked Data Documents: ODE     Content Formats:   [cxml] [csv]     RDF   [text] [turtle] [ld+json] [rdf+json] [rdf+xml]     ODATA   [atom+xml] [odata+json]     Microdata   [microdata+json] [html]    About   
This material is Open Knowledge   W3C Semantic Web Technology [RDF Data] Valid XHTML + RDFa
OpenLink Virtuoso version 07.20.3240 as of Jun 21 2024, on Linux (x86_64-pc-linux-gnu), Single-Server Edition (126 GB total memory, 24 GB memory in use)
Data on this page belongs to its respective rights holders.
Virtuoso Faceted Browser Copyright © 2009-2024 OpenLink Software