About: Fast Transients in Testing of Silicon Solar Cells

Facets (new session)
Description
Metadata
Settings
- owl:sameAs
- Inference Rule:

About: Fast Transients in Testing of Silicon Solar Cells Goto Sponge NotDistinct Permalink

An Entity of Type : http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/Vysledek, within Data Space : linked.opendata.cz associated with source document(s)

Attributes	Values
rdf:type	skos:Concept http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/Vysledek
Description	In solar cell diagnostic the parameters as the reverse breakdown voltage, depletion layer width and capacitance, serial and parallel resistance and lifetime of minority carriers are of great importance. Characterization of solar cells based on evaluation of solar cell response to fast transients is described. The measurement and evaluation procedure is very simple and no expensive devices are needed. Because relatively high doping level by standard silicon solar cells a voltage bias in the range 400 - 500 mV is needed.to cancel the influence of the depletion layer capacitance The voltage bias was made with dark current bias or with light bias. In solar cell diagnostic the parameters as the reverse breakdown voltage, depletion layer width and capacitance, serial and parallel resistance and lifetime of minority carriers are of great importance. Characterization of solar cells based on evaluation of solar cell response to fast transients is described. The measurement and evaluation procedure is very simple and no expensive devices are needed. Because relatively high doping level by standard silicon solar cells a voltage bias in the range 400 - 500 mV is needed.to cancel the influence of the depletion layer capacitance The voltage bias was made with dark current bias or with light bias. (en) Parametry náhradního schématu jsou pro určení vlastností solárních článků velmi důlažité. V článku je popsána charakterizace solárních článků založená na měření odezvy článku na přechodné děje. Lze snadno určit závěrné napětí přechodu, šířku oblasti prostorového náboje, difúzní a bariérovou kapacitu přechodu, paralelní a sériový odpor a dobu života minoritních nosičů. Měření a vyhodnocení jsou velmi jednoduché a nejsou zapotřebí speciální a drahé přístroje. Pro potlačení vlivu geometrické kapacity přechodu bylo používáno předpětí v rozsahu 400 - 500 mV. Předpětí bylo nastaveno pomocí proudového impulsu za temna nebo pomocí osvětlení. Je uvedeno blokové schéma zařízení a jsou diskutovány parametry naměřené u solárních článků různé kvality. (cs)
Title	Fast Transients in Testing of Silicon Solar Cells Fast Transients in Testing of Silicon Solar Cells (en) Rychlé přechodové děje pro testování solárních článků (cs)
skos:prefLabel	Fast Transients in Testing of Silicon Solar Cells Fast Transients in Testing of Silicon Solar Cells (en) Rychlé přechodové děje pro testování solárních článků (cs)
skos:notation	RIV/00216305:26220/06:PU65083!RIV07-MSM-26220___
http://linked.open.../vavai/riv/strany	461-466
http://linked.open...avai/riv/aktivita	Z
http://linked.open...avai/riv/aktivity	Z(MSM0021630503)
http://linked.open...vai/riv/dodaniDat	2007
http://linked.open...aciTvurceVysledku	Boušek, Jaroslav Poruba, Aleš
http://linked.open.../riv/druhVysledku	D - Článek ve sborníku
http://linked.open...iv/duvernostUdaju	S - Úplné a pravdivé údaje nepodléhající ochraně podle zvláštních právních předpisů
http://linked.open...titaPredkladatele	Vysoké učení technické v Brně / Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií
http://linked.open...dnocenehoVysledku	475600
http://linked.open...ai/riv/idVysledku	RIV/00216305:26220/06:PU65083
http://linked.open...riv/jazykVysledku	eng - angličtina
http://linked.open.../riv/klicovaSlova	Crystalline Silicon Solar Cells, Lifetime of minority carriers, Breakdown Voltage (en)
http://linked.open.../riv/klicoveSlovo	Breakdown Voltage Crystalline Silicon Solar Cells Lifetime of minority carriers
http://linked.open...ontrolniKodProRIV	[5BAD2B25DB88]
http://linked.open...v/mistoKonaniAkce	Brno
http://linked.open...i/riv/mistoVydani	NEUVEDEN
http://linked.open...i/riv/nazevZdroje	Proceedings EDS °06
http://linked.open...in/vavai/riv/obor	JA
http://linked.open...ichTvurcuVysledku	2 (xsd:int)
http://linked.open...cetTvurcuVysledku	2 (xsd:int)
http://linked.open...UplatneniVysledku	2006
http://linked.open...iv/tvurceVysledku	Poruba, Aleš Boušek, Jaroslav
http://linked.open...vavai/riv/typAkce	WRD - Světová
http://linked.open.../riv/zahajeniAkce	2006-09-14 (xsd:date)
http://linked.open...n/vavai/riv/zamer	Nové trendy v mikroelektronických systémech a nanotechnologiích (MIKROSYN)
number of pages	6 (xsd:int)
http://purl.org/ne...btex#hasPublisher	Ing. Zdeněk Novotný CSc.
https://schema.org/isbn	80-214-3246-2
http://localhost/t...ganizacniJednotka	26220

Faceted Search & Find service v1.16.118 as of Jun 21 2024

Alternative Linked Data Documents: ODE Content Formats:

RDF

ODATA

Microdata

About

OpenLink Virtuoso version 07.20.3240 as of Jun 21 2024, on Linux (x86_64-pc-linux-gnu), Single-Server Edition (126 GB total memory, 91 GB memory in use)
Data on this page belongs to its respective rights holders.
Virtuoso Faceted Browser Copyright © 2009-2024 OpenLink Software