Attributes | Values |
---|
rdf:type
| |
Description
| - The ESD (electrostatic discharge) protection structures act as a protection against the parasitic electrostatic discharge stresses in integrated circuits. The use of these structures provides better robustness against ESD stresses but also a number of secondary features, which degrades the circuit performance. These features are for example degradation of the bandwidth, bigger noise or lower gain. The ESD protections are based on regulator diodes or similar semiconductor variations that work in the area of non-destructive breakdown for discharging parasitic charge. It observes if is possible to set different characteristics of such structures by geometrical masks adjustments only during its production.
- The ESD (electrostatic discharge) protection structures act as a protection against the parasitic electrostatic discharge stresses in integrated circuits. The use of these structures provides better robustness against ESD stresses but also a number of secondary features, which degrades the circuit performance. These features are for example degradation of the bandwidth, bigger noise or lower gain. The ESD protections are based on regulator diodes or similar semiconductor variations that work in the area of non-destructive breakdown for discharging parasitic charge. It observes if is possible to set different characteristics of such structures by geometrical masks adjustments only during its production. (en)
- Struktury ochran ESD (electrostatic discharge) slouží k ochraně integrovaných obvodů proti parazitním elektrostatickým výbojům. Použití těchto struktur s sebou přináší sice vyšší odolnost vůči ESD stresům, ale také řadu sekundárních jevů, které omezují činnost obvodu. Tyto jevy například omezují šířku pásma přenášených signálů, způsobují vyšší šum nebo nižší zisk. Ochranné struktury ESD jsou založeny na principu Zenerových diod, nebo jiných polovodičových variací, které využívají oblast nedestruktivního průrazu k vybití parazitního náboje. Ukázalo se, že by bylo možné, nastavovat vlastnosti těchto struktur pouze příslušným přizpůsobením geometrické masky při výrobě. (cs)
|
Title
| - One-directional ESD protection structures tunable by geometrical mask adjustments only
- Jednosměrné ochranné ESD struktury nastavitelné geometrickou maskou (cs)
- One-directional ESD protection structures tunable by geometrical mask adjustments only (en)
|
skos:prefLabel
| - One-directional ESD protection structures tunable by geometrical mask adjustments only
- Jednosměrné ochranné ESD struktury nastavitelné geometrickou maskou (cs)
- One-directional ESD protection structures tunable by geometrical mask adjustments only (en)
|
skos:notation
| - RIV/00216305:26220/06:PU63705!RIV07-GA0-26220___
|
http://linked.open.../vavai/riv/strany
| |
http://linked.open...avai/riv/aktivita
| |
http://linked.open...avai/riv/aktivity
| |
http://linked.open...vai/riv/dodaniDat
| |
http://linked.open...aciTvurceVysledku
| |
http://linked.open.../riv/druhVysledku
| |
http://linked.open...iv/duvernostUdaju
| |
http://linked.open...titaPredkladatele
| |
http://linked.open...dnocenehoVysledku
| |
http://linked.open...ai/riv/idVysledku
| - RIV/00216305:26220/06:PU63705
|
http://linked.open...riv/jazykVysledku
| |
http://linked.open.../riv/klicovaSlova
| |
http://linked.open.../riv/klicoveSlovo
| |
http://linked.open...ontrolniKodProRIV
| |
http://linked.open...v/mistoKonaniAkce
| |
http://linked.open...i/riv/mistoVydani
| |
http://linked.open...i/riv/nazevZdroje
| - Moderní metody řešení,návrhu a aplikace elektronických obvodů
|
http://linked.open...in/vavai/riv/obor
| |
http://linked.open...ichTvurcuVysledku
| |
http://linked.open...cetTvurcuVysledku
| |
http://linked.open...vavai/riv/projekt
| |
http://linked.open...UplatneniVysledku
| |
http://linked.open...iv/tvurceVysledku
| |
http://linked.open...vavai/riv/typAkce
| |
http://linked.open.../riv/zahajeniAkce
| |
number of pages
| |
http://purl.org/ne...btex#hasPublisher
| |
https://schema.org/isbn
| |
http://localhost/t...ganizacniJednotka
| |