| Attributes | Values |
|---|
| rdf:type
| |
| Description
| - Je popsána charakterizace solárních článků založená na měření odezvy článku na přechodné děje. Lze snadno určit závěrné napětí přechodu, šířku oblasti prostorového náboje, difúzní a bariérovou kapacitu přechodu, paralelní a sériový odpor a dobu života minoritních nosičů. Měření a vyhodnocení jsou velmi jednoduché a nejsou zapotřebí speciální a drahé přístroje. Pro potlačení vlivu geometrické kapacity přechodu bylo používáno předpětí v rozsahu 400 - 500 mV. Předpětí bylo nastaveno pomocí proudového impullsu za temna nebo pomocí osvětlení. Je uvedeno blokové schéma zařízení a jsou diskutovány parametry naměřené u solárních článků různé kvality. (cs)
- Characterization of solar cells based on evaluation of solar cell response to fast transients is described. The parameters as the reverse breakdown voltage, depletion layer width and capacitance, serial and parallel resistance and minority carrier lifetime can be acquired easily. The measurement and evaluation procedure is very simple and no expensive devices are needed, but there are two problems which must be always considered. Firstly the recombination time depends on the actual concentration of minoority carriers and also trapping effects can superimpose to the minority carriers concentration decay. Other problem is influence of cell junction parameters, especially the depletion layer capacitance, which masks the recombination phenomena. To cancel the influence of the depletion layer capacitance a voltage bias in the range 400 - 500 mV was used. The voltage bias was made with dark current bias or with light bias. The measurement and evaluation scheme is given and some parameters of different quali
- Characterization of solar cells based on evaluation of solar cell response to fast transients is described. The parameters as the reverse breakdown voltage, depletion layer width and capacitance, serial and parallel resistance and minority carrier lifetime can be acquired easily. The measurement and evaluation procedure is very simple and no expensive devices are needed, but there are two problems which must be always considered. Firstly the recombination time depends on the actual concentration of minoority carriers and also trapping effects can superimpose to the minority carriers concentration decay. Other problem is influence of cell junction parameters, especially the depletion layer capacitance, which masks the recombination phenomena. To cancel the influence of the depletion layer capacitance a voltage bias in the range 400 - 500 mV was used. The voltage bias was made with dark current bias or with light bias. The measurement and evaluation scheme is given and some parameters of different quali (en)
|
| Title
| - Testing of solar cells using fast transients.
- Testing of solar cells using fast transients. (en)
- Testování solárních článků pomocí přechodových dějů (cs)
|
| skos:prefLabel
| - Testing of solar cells using fast transients.
- Testing of solar cells using fast transients. (en)
- Testování solárních článků pomocí přechodových dějů (cs)
|
| skos:notation
| - RIV/00216305:26220/05:PU54512!RIV06-MSM-26220___
|
| http://linked.open.../vavai/riv/strany
| |
| http://linked.open...avai/riv/aktivita
| |
| http://linked.open...avai/riv/aktivity
| |
| http://linked.open...vai/riv/dodaniDat
| |
| http://linked.open...aciTvurceVysledku
| |
| http://linked.open.../riv/druhVysledku
| |
| http://linked.open...iv/duvernostUdaju
| |
| http://linked.open...titaPredkladatele
| |
| http://linked.open...dnocenehoVysledku
| |
| http://linked.open...ai/riv/idVysledku
| - RIV/00216305:26220/05:PU54512
|
| http://linked.open...riv/jazykVysledku
| |
| http://linked.open.../riv/klicovaSlova
| - solar cells, reverse breakdown voltage, minority carrier lifetime, recombination, diffusion capacitance (en)
|
| http://linked.open.../riv/klicoveSlovo
| |
| http://linked.open...ontrolniKodProRIV
| |
| http://linked.open...v/mistoKonaniAkce
| |
| http://linked.open...i/riv/mistoVydani
| |
| http://linked.open...i/riv/nazevZdroje
| - Electronic Devices and Systems 2005. Proceedings
|
| http://linked.open...in/vavai/riv/obor
| |
| http://linked.open...ichTvurcuVysledku
| |
| http://linked.open...cetTvurcuVysledku
| |
| http://linked.open...UplatneniVysledku
| |
| http://linked.open...iv/tvurceVysledku
| |
| http://linked.open...vavai/riv/typAkce
| |
| http://linked.open.../riv/zahajeniAkce
| |
| http://linked.open...n/vavai/riv/zamer
| |
| number of pages
| |
| http://purl.org/ne...btex#hasPublisher
| |
| https://schema.org/isbn
| |
| http://localhost/t...ganizacniJednotka
| |
![[RDF Data]](/fct/images/sw-rdf-blue.png)
![[cxml]](/fct/images/cxml_doc.png)
![[csv]](/fct/images/csv_doc.png)
![[text]](/fct/images/ntriples_doc.png)
![[turtle]](/fct/images/n3turtle_doc.png)
![[ld+json]](/fct/images/jsonld_doc.png)
![[rdf+json]](/fct/images/json_doc.png)
![[rdf+xml]](/fct/images/xml_doc.png)
![[atom+xml]](/fct/images/atom_doc.png)
![[html]](/fct/images/html_doc.png)