About: SIMS TOF-LEIS hloubkový profilometr s nanometrovým rozlišením

Facets (new session)
Description
Metadata
Settings
- owl:sameAs
- Inference Rule:

About: SIMS TOF-LEIS hloubkový profilometr s nanometrovým rozlišením Goto Sponge NotDistinct Permalink

An Entity of Type : http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/Vysledek, within Data Space : linked.opendata.cz associated with source document(s)

Attributes	Values
rdf:type	skos:Concept http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/Vysledek
Description	SIMS and TOF-LEIS instrument is intended for analysis of surfaces and thin films. Besides standard modes of analysis it can be used for alternate depth profiling with both mentioned methods which option made this instrument unique. Instrument employs two ion beams with energies in the range from 0.2 keV to 5 keV. The beam for producing of sputtered ions (SIMS - Secondary Ion Mass Spectrometry) and the second one for ion scattering on the surface (TOF-LEIS Time of Flight Low Energy Ion Scattering). Both types of produced particles bring information about depth composition of analyzed sample. A part of this instrument is software enabling cooperation between both methods. (en) Zařízení SIMS a TOF-LEIS slouží k analýze povrchů a tenkých vrstev. Unikátnost zařízení spočívá především v tom, že kromě standardních způsobů měření umožňuje střídavé profilování metodami SIMS a TOF-LEIS ve stejném místě vzorku. Zařízení využívá k analýze dvou iontových svazků s energiemi v intervalu 0,2 - 5 keV. Složení vrstev v závislosti na hloubce (hloubkový profil) je měřen pomocí iontů odprášených z povrchu pomocí dopadajícího iontového svazku (metoda SIMS). Kromě odprášených iontů jsou k analýze využívány odražené částice od analyzovaného vzorku (metoda TOF-LEIS). Součástí tohoto zařízení je autorský software zajišťující koordinaci obou metod. Zařízení SIMS a TOF-LEIS slouží k analýze povrchů a tenkých vrstev. Unikátnost zařízení spočívá především v tom, že kromě standardních způsobů měření umožňuje střídavé profilování metodami SIMS a TOF-LEIS ve stejném místě vzorku. Zařízení využívá k analýze dvou iontových svazků s energiemi v intervalu 0,2 - 5 keV. Složení vrstev v závislosti na hloubce (hloubkový profil) je měřen pomocí iontů odprášených z povrchu pomocí dopadajícího iontového svazku (metoda SIMS). Kromě odprášených iontů jsou k analýze využívány odražené částice od analyzovaného vzorku (metoda TOF-LEIS). Součástí tohoto zařízení je autorský software zajišťující koordinaci obou metod. (cs)
Title	SIMS TOF-LEIS hloubkový profilometr s nanometrovým rozlišením SIMS TOF-LEIS hloubkový profilometr s nanometrovým rozlišením (cs) SIMS TOF-LEIS depth profilometer with nanometer depth resolution (en)
skos:prefLabel	SIMS TOF-LEIS hloubkový profilometr s nanometrovým rozlišením SIMS TOF-LEIS hloubkový profilometr s nanometrovým rozlišením (cs) SIMS TOF-LEIS depth profilometer with nanometer depth resolution (en)
skos:notation	RIV/00216305:26210/08:PR23504!RIV10-MSM-26210___
http://linked.open...avai/riv/aktivita	P Z
http://linked.open...avai/riv/aktivity	P(GP202/07/P486), Z(MSM0021630508)
http://linked.open...vai/riv/dodaniDat	2010
http://linked.open...aciTvurceVysledku	Kolíbal, Miroslav Šikola, Tomáš Duda, Radek Bábor, Petr Průša, Stanislav
http://linked.open.../riv/druhVysledku	G/B - Funkční vzorek
http://linked.open...iv/duvernostUdaju	S - Úplné a pravdivé údaje nepodléhající ochraně podle zvláštních právních předpisů
http://linked.open...onomickeParametry	Předpokládaná prodejní cena 3 mil. Kč. Náklady na pořízení 2.5 mil. Kč.
http://linked.open...titaPredkladatele	Vysoké učení technické v Brně / Fakulta strojního inženýrství
http://linked.open...dnocenehoVysledku	394774
http://linked.open...ai/riv/idVysledku	RIV/00216305:26210/08:PR23504
http://linked.open...terniIdentifikace	Zařízení SIMS TOF-LEIS
http://linked.open...riv/jazykVysledku	cze - čeština
http://linked.open...vai/riv/kategorie	A - Do 5 mil. Kč
http://linked.open.../riv/klicovaSlova	Depth profiling, SIMS, TOF, LEIS, thin films, in situ analysis (en)
http://linked.open.../riv/klicoveSlovo	Depth profiling LEIS thin films TOF SIMS in situ analysis
http://linked.open...ontrolniKodProRIV	[903469434FF6]
http://linked.open...okalizaceVysledku	A2/518
http://linked.open...in/vavai/riv/obor	BM
http://linked.open...ichTvurcuVysledku	5 (xsd:int)
http://linked.open...cetTvurcuVysledku	5 (xsd:int)
http://linked.open...vavai/riv/projekt	Depth profiling of 2D nanostructures by SIMS, TOF-LEIS and XPS combined with ion beam sputtering
http://linked.open...UplatneniVysledku	2008
http://linked.open...echnickeParametry	Získání hloubkových profilů tenkých vrstev pomocí odprašování nízkoenergiovými ionty střídavým měřením metodami SIMS a TOF-LEIS s rozlišením v jednotkách nanometrů a citlivostí v rádu ppm. Funkční vzorek je využiván na pracovi
http://linked.open...iv/tvurceVysledku	Kolíbal, Miroslav Šikola, Tomáš Bábor, Petr Duda, Radek Průša, Stanislav
http://linked.open...avai/riv/vlastnik	ÚFI-odbor fyziky pevných látek a povrchů
http://linked.open...itiJinymSubjektem	N - Nabytí licence není nutné (výsledek není licencován)
http://linked.open...n/vavai/riv/zamer	Anorganické nanomateriály a nanostruktury: vytváření, analýza, vlastnosti
http://localhost/t...ganizacniJednotka	26210

Faceted Search & Find service v1.16.118 as of Jun 21 2024

Alternative Linked Data Documents: ODE Content Formats:

RDF

ODATA

Microdata

About

OpenLink Virtuoso version 07.20.3240 as of Jun 21 2024, on Linux (x86_64-pc-linux-gnu), Single-Server Edition (126 GB total memory, 49 GB memory in use)
Data on this page belongs to its respective rights holders.
Virtuoso Faceted Browser Copyright © 2009-2024 OpenLink Software