Attributes | Values |
---|
rdf:type
| |
Description
| - Semiconductor layer .. (en)
- Vrstvy polovodičů II-VI hrají významnou roli v oblasti mikroelectroniky a optometrie. Zvláště pak vrstvy ZnSe a ZnTe jsou v praxi aplikovány velmi často. Při těchto aplikacích je většinou vyžadována jejich vysoká kvalita. Proto je nutné mít k dispozici analytické metody umožňující posuzovat kvalitu vrstev ZnSe a ZnTe. Ukazuje se, že metoda mikroskopie atomové síly (AFM) patří mezi ty metody, pomocí nichž lze efektivně studovat defekty ve struktuře zmíněných vrstev. V tomto příspěvku budemme presentovat výsledky týkající se aplikace metody AFM při charakterizaci horních rozhraní tenkých vrstev ZnTe a ZnSe připravených metodou molekulové epitaxe na podložky z monokrystalu GaAs. Ukážeme, že v případě vrstev ZnSe jsou jejich horní rozhraní náhodně drsná a že jsou zároveň pokryta mikroskopickými objekty. Navíc bude provedena kvantitativní analýza drsnosti rozhraní vrstev ZnSe. Do výpočtu kvalitativních charakteristik drsnosti budou zahrnuty i zmíněné objekty, které jsou tvořeny amorfním GaO. Dále ukážeme,
- Vrstvy polovodičů II-VI hrají významnou roli v oblasti mikroelectroniky a optometrie. Zvláště pak vrstvy ZnSe a ZnTe jsou v praxi aplikovány velmi často. Při těchto aplikacích je většinou vyžadována jejich vysoká kvalita. Proto je nutné mít k dispozici analytické metody umožňující posuzovat kvalitu vrstev ZnSe a ZnTe. Ukazuje se, že metoda mikroskopie atomové síly (AFM) patří mezi ty metody, pomocí nichž lze efektivně studovat defekty ve struktuře zmíněných vrstev. V tomto příspěvku budemme presentovat výsledky týkající se aplikace metody AFM při charakterizaci horních rozhraní tenkých vrstev ZnTe a ZnSe připravených metodou molekulové epitaxe na podložky z monokrystalu GaAs. Ukážeme, že v případě vrstev ZnSe jsou jejich horní rozhraní náhodně drsná a že jsou zároveň pokryta mikroskopickými objekty. Navíc bude provedena kvantitativní analýza drsnosti rozhraní vrstev ZnSe. Do výpočtu kvalitativních charakteristik drsnosti budou zahrnuty i zmíněné objekty, které jsou tvořeny amorfním GaO. Dále ukážeme, (cs)
|
Title
| - Application of Atomic Force Microscopy for Analysis of ZnSe and ZnTe Thin Films (en)
- Aplikace mikroskopie atomové síly při analýze tenkých vrstev ZnSe a ZnTe
- Aplikace mikroskopie atomové síly při analýze tenkých vrstev ZnSe a ZnTe (cs)
|
skos:prefLabel
| - Application of Atomic Force Microscopy for Analysis of ZnSe and ZnTe Thin Films (en)
- Aplikace mikroskopie atomové síly při analýze tenkých vrstev ZnSe a ZnTe
- Aplikace mikroskopie atomové síly při analýze tenkých vrstev ZnSe a ZnTe (cs)
|
skos:notation
| - RIV/00216224:14310/03:00008098!RIV08-GA0-14310___
|
http://linked.open.../vavai/riv/strany
| |
http://linked.open...avai/riv/aktivita
| |
http://linked.open...avai/riv/aktivity
| - P(GA101/01/1104), P(GA202/01/1110)
|
http://linked.open...iv/cisloPeriodika
| |
http://linked.open...vai/riv/dodaniDat
| |
http://linked.open...aciTvurceVysledku
| |
http://linked.open.../riv/druhVysledku
| |
http://linked.open...iv/duvernostUdaju
| |
http://linked.open...titaPredkladatele
| |
http://linked.open...dnocenehoVysledku
| |
http://linked.open...ai/riv/idVysledku
| - RIV/00216224:14310/03:00008098
|
http://linked.open...riv/jazykVysledku
| |
http://linked.open.../riv/klicovaSlova
| |
http://linked.open.../riv/klicoveSlovo
| |
http://linked.open...odStatuVydavatele
| |
http://linked.open...ontrolniKodProRIV
| |
http://linked.open...i/riv/nazevZdroje
| - Československý časopis pro fyziku
|
http://linked.open...in/vavai/riv/obor
| |
http://linked.open...ichTvurcuVysledku
| |
http://linked.open...cetTvurcuVysledku
| |
http://linked.open...vavai/riv/projekt
| |
http://linked.open...UplatneniVysledku
| |
http://linked.open...v/svazekPeriodika
| |
http://linked.open...iv/tvurceVysledku
| - Franta, Daniel
- Klapetek, Petr
- Ohlídal, Ivan
|
issn
| |
number of pages
| |
http://localhost/t...ganizacniJednotka
| |