About: Examination of contrast in doped semiconductors with scanning low energy microscope with ultimate parameters

Facets (new session)
Description
Metadata
Settings
- owl:sameAs
- Inference Rule:

About: Examination of contrast in doped semiconductors with scanning low energy microscope with ultimate parameters Goto Sponge NotDistinct Permalink

An Entity of Type : http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/Projekt, within Data Space : linked.opendata.cz associated with source document(s)

Attributes	Values
rdf:type	http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/Projekt
rdfs:seeAlso	http://www.isvav.cz/projectDetail.do?rowId=GP102/09/P543
Description	Our goal is to gather more complete information related to the origin of contrast between thedoped areas and semiconductor substrate, during examination in a scanning low energy electronmicroscope. The contrast mechanism, whether related to the effect ofcharge injection into dopedpatterns on the semiconductor substrate, or to the cross-section of the multilayered structure, willbe investigated. The experiments will be conducted using a SLEEM, with an angular sensitive BSEand SE detector, and an additional arbitrarily low landing energy (with steps in range of 0.01 eV),which can be adjusted. Noticeable charge injection effects can be assumed, mainly in the depletionregion of the p-n junction, the location of which is thus controllable with the depth of beampenetration. (en) Náplní projektu je studium faktorů ovlivňujících vznik kontrastu obrazu dopované oblasti s použitím nízkoenergiového rastrovacího elektronového mikroskopu. Injekce nosičů do rozhraní p-n přechodu v dopovaných vzorcích bude zkoumána jak planárně, tak v řezu vícevrstvou strukturou. K tomu účelu poslouží REM již dříve adaptovaný pro práci s nízkou energií. Kromě zkoumání úhlové emise SE a BSE pomocí speciálního detektoru mikroskop umožní reprodukovatelné nastavení energiedopadu s přesností až setin eV. Řízené nastavení dopadajících elektronů do hloubky srovnatelné s rozměry ochuzené vrstvy umožní vysvětlit změny kontrastu vznikajícího na p-n přechodu polovodičů s různým typem vodivosti. Experimenty budou probíhat na zařízeních různých technických parametrů vybavených SLEEM modem. Na základě získaných poznatků pak bude možné určit údaje o elektronové struktuře materiálů včetně stanovení koncentrace příměsí v daném polovodiči.
Title	Examination of contrast in doped semiconductors with scanning low energy microscope with ultimate parameters (en) Výzkum kontrastu v dopovaných polovodičích v nízkoenergiovém rastrovacím elektronovém mikroskopu s mezními parametry
skos:notation	GP102/09/P543
http://linked.open...avai/cep/aktivita	Post-graduate (doctorate) grants
http://linked.open...kovaStatniPodpora	http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/projekt/GP102%2F09%2FP543/celkovaStatniPodpora
http://linked.open...ep/celkoveNaklady	http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/projekt/GP102%2F09%2FP543/celkoveNaklady
http://linked.open...datumDodatniDoRIV	2015-03-20 (xsd:date)
http://linked.open...i/cep/druhSouteze	VS - Veřejná soutěž ve výzkumu a vývoji
http://linked.open...ep/duvernostUdaju	S - Úplné a pravdivé údaje nepodléhající ochraně podle zvláštních právních předpisů
http://linked.open.../cep/fazeProjektu	82379755
http://linked.open...ai/cep/hlavniObor	JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
http://linked.open...hodnoceniProjektu	U - Uspěl podle zadání, tj. byly splněny cíle a jeho předpokládané výsledky uvedené ve smlouvě / rozhodnutí o poskytnutí podpory
http://linked.open...vai/cep/kategorie	ZV - Základní výzkum
http://linked.open.../cep/klicovaSlova	dopant contrast; dopant profiling; SLEEM; SEM; SE emission (en)
http://linked.open...ep/partnetrHlavni	Ústav přístrojové techniky AV ČR, v. v. i.
http://linked.open...inujicichPrijemcu	0 (xsd:int)
http://linked.open...cep/pocetPrijemcu	1 (xsd:int)
http://linked.open...ocetSpoluPrijemcu	0 (xsd:int)
http://linked.open.../pocetVysledkuRIV	7 (xsd:int)
http://linked.open...enychVysledkuVRIV	7 (xsd:int)
http://linked.open...lneniVMinulemRoce	2010-04-16 (xsd:date)
http://linked.open.../prideleniPodpory	http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/cep/prideleniPodpory/102%2F09%2FP543
http://linked.open...iciPoslednihoRoku	2010
http://linked.open...atUdajeProjZameru	2011
http://linked.open.../vavai/cep/soutez	SGA02009GA1PD
http://linked.open...usZobrazovaneFaze	DUU
http://linked.open...ai/cep/typPojektu	P - Projekt výzkumu a vývoje financovaný ze státního rozpočtu
http://linked.open...ep/ukonceniReseni	2010-12-31 (xsd:date)
http://linked.open.../cep/vedlejsiObor	BH - Optika, masery a lasery BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
http://linked.open...ep/zahajeniReseni	2009-01-01 (xsd:date)
http://linked.open...jektu+dodavatelem	New samples of planar doped structures have been designed and manufactured within the scope of this project. Properties of samples with variable level of doping and with opposite conductivity have been investigated in a single field of view. A collaboration with ON Semiconductor Company has been established, which is one of the top semiconductor-component manufacturer. The company allowed tests (en) V rámci projektu byly navrženy a vyrobeny speciální vzorky planárních dopovaných struktur, které umožnily proměřit v jednom zorném poli obrazu ze SEM chování struktur s různou úrovní dopování a opačnou vodivostí. Byla navázána spolupráce s firmou ON Semiconductor , která je předním výrobcem polovodičových součástek. Firma umožnila otestovat na příčných řezech přímo z vý (cs)
http://linked.open...tniCyklusProjektu	ZKU
http://linked.open.../cep/klicoveSlovo	dopant contrast SEM SLEEM dopant profiling
is http://linked.open...vavai/cep/projekt of	http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/cep/ucast/GP102%2F09%2FP543/2009/ico%3A68081731 http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/cep/ucast/GP102%2F09%2FP543/2010/ico%3A68081731 http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/cep/ucast/GP102%2F09%2FP543/2011/ico%3A68081731

Faceted Search & Find service v1.16.118 as of Jun 21 2024

Alternative Linked Data Documents: ODE Content Formats:

RDF

ODATA

Microdata

About

OpenLink Virtuoso version 07.20.3240 as of Jun 21 2024, on Linux (x86_64-pc-linux-gnu), Single-Server Edition (126 GB total memory, 47 GB memory in use)
Data on this page belongs to its respective rights holders.
Virtuoso Faceted Browser Copyright © 2009-2024 OpenLink Software