| Attributes | Values |
|---|
| rdf:type
| |
| rdfs:seeAlso
| |
| Description
| - This project focuses on the epitaxial growth of highly mismatched heterostructures on porous substrates of A3B5 semiconductors and on the deposition of metallic and semiconductor materials into micropores. Preparation of high quality lattice mismatched epitaxial layers is one of the most challenging tasks in semiconductor technology. Electrochemically prepared micro and nanopores in InP and GaAs will be overgrown by LPE and MOCVD to evaluate (i) the conversion of pores into microbubbles and microlamellae, (ii) the expected reduction of dislocation density in the overgown layer, (iii) the strain distribution at heterointerfaces. Remote plasma CVD and electrochemical deposition will be used to deposit ZnO into micropores and onto porous GaP substrates to study the unique optical properties of these structures. Pt will be deposited electrochemically into porous networks as the first step towards the preparation of metamaterials. Structural, electrical, and optical properties will be investigated by optical microscopy, SEM, AFM, SIMS, wet etching, Hall measurement, PL, and microCL. (en)
- Navrhovaný projekt se zaměří na epitaxní růst heterostruktur s velkým mřížkovým nepřizpůsobením na porézních substrátech polovodičů A3B5 a na depozici kovových a polovodičových materiálů do mikropórů. Příprava vysoce kvalitních mřížkově nepřizpůsobených epitaxních vrstev je jedním z nejnáročnějších úkolů v polovodičové technologii. Elektrochemicky připravené mikro a nanopóry v InP a GaAs budou zarůstány metodami LPE a MOCVD za účelem vyhodnocení (a) konverze pórů do mikrobublin a mikrolamel, (b) očekávaného snížení hustoty dislokací prorůstajících do deponované vrstvy a (c) rozložení deformace v oblasti heterorozhraní. Plazmová chemická depozice a elektochemická depozice bude použita pro nanášení ZnO do mikropórů a na porézní GaP substráty za účelem studia optických vlastností těchto struktur. Platina bude elektrochemicky nanášena do porézních sítí jakožto první krok k přípravě metamateriálů. Strukturní, elektrické a optické vlastnosti budou studovány pomocí optické mikroskopie, SEM, AFM, SIMS, mokrého leptání, měření Hallova jevu, fotoluminiscence a mikrokatodoluminiscence.
|
| Title
| - Lattice mismatch compensation in heteroepitaxy on micro and nanoporous A3B5 semiconductors and deposition of metals and semiconductors into micropores (en)
- Kompenzace neizoperiodičnosti v heteropřechodech na mikro a nanoporézních polovodičích A3B5 a depozice kovů a polovodičů do mikropórů
|
| skos:notation
| |
| http://linked.open...avai/cep/aktivita
| |
| http://linked.open...kovaStatniPodpora
| |
| http://linked.open...ep/celkoveNaklady
| |
| http://linked.open...datumDodatniDoRIV
| |
| http://linked.open...i/cep/druhSouteze
| |
| http://linked.open...ep/duvernostUdaju
| |
| http://linked.open.../cep/fazeProjektu
| |
| http://linked.open...ai/cep/hlavniObor
| |
| http://linked.open...hodnoceniProjektu
| |
| http://linked.open...vai/cep/kategorie
| |
| http://linked.open.../cep/klicovaSlova
| - porous; A3B5; semiconductors; InP; GaP; GaAs; InAs; InGaAs; ZnO; micropore; anodization; heteroepitaxy; MOVPE; epitaxial; growth; liquid; phase; epitaxy; SEM; AFM; SIMS; photoluminescence (en)
|
| http://linked.open...ep/partnetrHlavni
| |
| http://linked.open...inujicichPrijemcu
| |
| http://linked.open...cep/pocetPrijemcu
| |
| http://linked.open...ocetSpoluPrijemcu
| |
| http://linked.open.../pocetVysledkuRIV
| |
| http://linked.open...enychVysledkuVRIV
| |
| http://linked.open...lneniVMinulemRoce
| |
| http://linked.open.../prideleniPodpory
| |
| http://linked.open...iciPoslednihoRoku
| |
| http://linked.open...atUdajeProjZameru
| |
| http://linked.open.../vavai/cep/soutez
| |
| http://linked.open...usZobrazovaneFaze
| |
| http://linked.open...ai/cep/typPojektu
| |
| http://linked.open...ep/ukonceniReseni
| |
| http://linked.open.../cep/vedlejsiObor
| |
| http://linked.open...ep/zahajeniReseni
| |
| http://linked.open...jektu+dodavatelem
| - Projekt přispěl k pokroku v přípravě vysoce kvalitních epitaxních vrstev materiálů na polovodičových substrátech s mřížkovým nepřízpusobením, které umožňují rozšíření rozsahu realizovatelných součástek na daném substrátu. Nový způsob přípravy a další výsledky projektu mohou mít značné aplikace v elektronice. Publikovány čtyři impaktované články. (cs)
- Project contributed to the progress in preparation of high quality epitaxial layers of materials on lattice-mismatched semiconductor substrates to enhance the range of useful device on given substrate. New way of preparation and other results of the project may have important applications in electronics. Four impacted papers were published. (en)
|
| http://linked.open...tniCyklusProjektu
| |
| http://linked.open.../cep/klicoveSlovo
| - porous
- A3B5
- AFM
- GaAs
- GaP
- InAs
- InGaAs
- InP
- MOVPE
- SEM
- SIMS
- ZnO
- anodization
- epitaxial
- epitaxy
- growth
- heteroepitaxy
- liquid
- micropore
- phase
- semiconductors
|
| is http://linked.open...vavai/cep/projekt
of | |
![[RDF Data]](/fct/images/sw-rdf-blue.png)
![[cxml]](/fct/images/cxml_doc.png)
![[csv]](/fct/images/csv_doc.png)
![[text]](/fct/images/ntriples_doc.png)
![[turtle]](/fct/images/n3turtle_doc.png)
![[ld+json]](/fct/images/jsonld_doc.png)
![[rdf+json]](/fct/images/json_doc.png)
![[rdf+xml]](/fct/images/xml_doc.png)
![[atom+xml]](/fct/images/atom_doc.png)
![[html]](/fct/images/html_doc.png)