About: Chemical aspects of thin layer deposition of the AIII-nitrides in relation to electronic applications

Facets (new session)
Description
Metadata
Settings
- owl:sameAs
- Inference Rule:

About: Chemical aspects of thin layer deposition of the AIII-nitrides in relation to electronic applications Goto Sponge NotDistinct Permalink

An Entity of Type : http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/Projekt, within Data Space : linked.opendata.cz associated with source document(s)

Attributes	Values
rdf:type	http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/Projekt
rdfs:seeAlso	http://www.isvav.cz/projectDetail.do?rowId=GA104/03/0387
Description	AIII-nitrides have been shown to be of both fundamental and practical interest. Applications in electronics cover light-emitting diodes, lasers, transistors, photodetectors, planar waveguides as well as hig-temperature electronic devices. Metal OrganicVapour Phase Epitaxy (MOVPE) has became the leading technology for preparation of epitaxial layers and structures ot these materials during the last decade. However some serious problems exist in the MOVPE. Lack of the substrate materials lattice-matchedto AIII-nitrides, different thermal stabilities of AIII-nitrides, different incorporation efficiencies in ternary a quaternary solid solutions growth as well as solid phase immiscibility in In-containing materials are the principal ones. One of the goalof this project is the preparation of ternary and quaternary solid solutions of AIII-nitrides by the MOVPE. Composition of these solutions will be investigated experimentaly and correlated with the calculated ones on the basis of the local thermodynamic (en) Nitridy hliníku, gallia a india a jejich pevné roztoky, (Al,Ga,In)N, jsou v současné době materiály celosvětového významu, aplikované především v optoelektronice a vysokoteplotní elektronice. Tento strategický význam je však stále provázen některýmidosud nevyřešenými problémy v oblasti přípravy vysoce kvalitních epitaxních vrstev technologií MOVPE. Vážným problémem je např. zabudovávání india v roztocích AlInN a GaInN ve vyšších koncentracích při vyšších depozičních teplotách, reálná možnost fázovéodmíšení v ternárních a kvaternárních systémech a některé další. Nezanedbatelné nejsou ani některé rozporuplné literární údaje o optimálních technologických podmínkách přípravy kvalitních vrstev, např. vliv tlaku v technologii MOVPE. Navrhovaný projektje proto částečně zaměřen na přípravu ternárních, popřípadě kvaternárních pevných roztoků a jejich diagnostiku se zpětnou vazbou na technologické podmínky. Vrstvy budou připravovány technologií MOVPE na laboratorním technologickém zařízení, které bylo
Title	Chemical aspects of thin layer deposition of the AIII-nitrides in relation to electronic applications (en) Chemické aspekty přípravy tenkých vrstev nitridů 3. podskupiny ve vztahu k aplikacím v elektronice
skos:notation	GA104/03/0387
http://linked.open...avai/cep/aktivita	Standard projects
http://linked.open...kovaStatniPodpora	http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/projekt/GA104%2F03%2F0387/celkovaStatniPodpora
http://linked.open...ep/celkoveNaklady	http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/projekt/GA104%2F03%2F0387/celkoveNaklady
http://linked.open...datumDodatniDoRIV	2009-01-15 (xsd:date)
http://linked.open...i/cep/druhSouteze	VS - Veřejná soutěž ve výzkumu a vývoji
http://linked.open...ep/duvernostUdaju	S - Úplné a pravdivé údaje nepodléhající ochraně podle zvláštních právních předpisů
http://linked.open.../cep/fazeProjektu	33432481
http://linked.open...ai/cep/hlavniObor	JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
http://linked.open...hodnoceniProjektu	U - Uspěl podle zadání, tj. byly splněny cíle a jeho předpokládané výsledky uvedené ve smlouvě / rozhodnutí o poskytnutí podpory
http://linked.open...vai/cep/kategorie	ZV - Základní výzkum
http://linked.open.../cep/klicovaSlova	Neuvedeno. (en)
http://linked.open...ep/partnetrHlavni	Fakulta chemické technologie
http://linked.open...inujicichPrijemcu	0 (xsd:int)
http://linked.open...cep/pocetPrijemcu	1 (xsd:int)
http://linked.open...ocetSpoluPrijemcu	0 (xsd:int)
http://linked.open.../pocetVysledkuRIV	23 (xsd:int)
http://linked.open...enychVysledkuVRIV	23 (xsd:int)
http://linked.open...okUkonceniPodpory	2005
http://linked.open...okZahajeniPodpory	2003
http://linked.open...iciPoslednihoRoku	2006
http://linked.open...atUdajeProjZameru	2006
http://linked.open.../vavai/cep/soutez	SGA02003GA-ST
http://linked.open...usZobrazovaneFaze	DUU
http://linked.open...ai/cep/typPojektu	P - Projekt výzkumu a vývoje financovaný ze státního rozpočtu
http://linked.open.../cep/vedlejsiObor	JB - Senzory, čidla, měření a regulace
http://linked.open...jektu+dodavatelem	V průběhu řešení byly byly změřeny tepelné kapacity GaN (320-570 K) a InN (305-390 K) a relativní entalpie GaN (670-1270 K) a InN (427-774 K). Byly vypočteny hodnoty standardních molárních entropií GaN a InN při teplotě 298,15 K. Na základě teoretických (cs) The heat capacities and relative enthalpies were measured, respectively, in the temperature intervals (320-570 K) and (670-1270 K) for GaN and (305-390 K) and (427-774 K) for InN. The standard molar entropies at 298 K were evaluated form the analysis o (en)
http://linked.open...tniCyklusProjektu	ZBKU
is http://linked.open...vavai/cep/projekt of	http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/cep/ucast/GA104%2F03%2F0387/2003/orjk%3A22310 http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/cep/ucast/GA104%2F03%2F0387/2004/orjk%3A22310 http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/cep/ucast/GA104%2F03%2F0387/2005/orjk%3A22310 http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/cep/ucast/GA104%2F03%2F0387/2006/orjk%3A22310

Faceted Search & Find service v1.16.118 as of Jun 21 2024

Alternative Linked Data Documents: ODE Content Formats:

RDF

ODATA

Microdata

About

OpenLink Virtuoso version 07.20.3240 as of Jun 21 2024, on Linux (x86_64-pc-linux-gnu), Single-Server Edition (126 GB total memory, 64 GB memory in use)
Data on this page belongs to its respective rights holders.
Virtuoso Faceted Browser Copyright © 2009-2024 OpenLink Software