Attributes | Values |
---|
rdf:type
| |
rdfs:seeAlso
| |
Description
| - This project focuses on fundamental understanding of the diamond growth (DG) on GaN substrates (AlGaN/GaN on Si or sapphire, and metal contacts). Different nucleation and seeding methods will be employed to initialize the DG. The DG will be done by cavity-focused or linear-antenna microwave plasma CVD process. The induced strain due to the crystallographic and thermal mismatch between diamond and GaN will be engineered by process conditions (mainly deposition temperature and gas composition) and by layer character (nano- or poly-crystalline grains, porous structure, thickness). The induced strain will be characterized by Raman and XRD measurements. Fabricated electrically-conductive channels and HEMT transistors on diamond-GaN heterostructures will be investigated by variety of I-V measurements. Simultaneously, strain and heat dissipation FEM simulations will be provided to better characterize and understand the electronic and material properties of diamond-GaN hybrid system. The project findings can offer new solutions for high-power and high-frequency electronic devices. (en)
- Tento projekt se zabývá základním pochopením růstu diamantu na GaN substrátech (AlGaN/GaN na Si nebo safíru a kovových kontaktech). Odlišné metody nukleace a zárodkování budou využity pro inicializaci růstu diamantu. Růst vrstev bude realizován v mikrovlnném plazmovém CVD systému s fokusovanou plazmou a nebo s povrchovou vlnou. Řízení vnitřních pnutí způsobených odlišnými krystalografickými a teplotními parametry diamantu a GaN bude prováděno optimalizací procesních parametrů (zejména depoziční teplotou a složením pracovní směsi plynů) a morfologií nanášené vrstvy. Indukovaná pnutí budou charakterizována pomocí Ramanovi spektroskopie a XRD měření. Připravené elektricky vodivé kanály a HEMT tranzistory na diamant-GaN heterostrukturách budou zkoumány pomocí měření I-V charakteristik. Současně budou matematicky modelována pnutí a disipace tepla za účelem lepší charakterizace a pochopení elektronických a materiálových vlastností hybridních diamant-GaN systémů. Výsledky projektu by měly poskytnout nová řešení při přípravě vysoko-výkonových a vysoko-frekvenčních elektronických prvků.
|
Title
| - Electronic Performance Enhancement of Diamond-GaN Hybrid Structures Using Engineered Strains (en)
- Ladění elektrických vlastností hybridních struktur diamantu a galium nitridu řízenou optimalizací vnitřních pnutí
|
skos:notation
| |
http://linked.open...avai/cep/aktivita
| |
http://linked.open...kovaStatniPodpora
| |
http://linked.open...ep/celkoveNaklady
| |
http://linked.open...datumDodatniDoRIV
| |
http://linked.open...i/cep/druhSouteze
| |
http://linked.open...ep/duvernostUdaju
| |
http://linked.open.../cep/fazeProjektu
| |
http://linked.open...ai/cep/hlavniObor
| |
http://linked.open...vai/cep/kategorie
| |
http://linked.open.../cep/klicovaSlova
| - diamond films, microwave plasma chemical vapor deposition, AlGaN/GaN HEMT transistors, heterostructures, strain engineering, heat dissipation, sensors (en)
|
http://linked.open...ep/partnetrHlavni
| |
http://linked.open...inujicichPrijemcu
| |
http://linked.open...cep/pocetPrijemcu
| |
http://linked.open...ocetSpoluPrijemcu
| |
http://linked.open.../pocetVysledkuRIV
| |
http://linked.open...enychVysledkuVRIV
| |
http://linked.open...lneniVMinulemRoce
| |
http://linked.open.../prideleniPodpory
| |
http://linked.open...iciPoslednihoRoku
| |
http://linked.open...atUdajeProjZameru
| |
http://linked.open.../vavai/cep/soutez
| |
http://linked.open...usZobrazovaneFaze
| |
http://linked.open...ai/cep/typPojektu
| |
http://linked.open...ep/ukonceniReseni
| |
http://linked.open.../cep/vedlejsiObor
| |
http://linked.open...ep/zahajeniReseni
| |
http://linked.open...tniCyklusProjektu
| |
http://linked.open.../cep/klicoveSlovo
| - diamond films
- AlGaN/GaN HEMT transistors
- heat dissipation
- heterostructures
- microwave plasma chemical vapor deposition
- strain engineering
|
is http://linked.open...vavai/cep/projekt
of | |