Pomocí balistické elektronové emisní mikroskopie a spektroskopie budou studovány samouspořádané InAs kvantové tečky v GaAs vložené mezi GaAlAs bariery. Na samouspořádaných kvantových tečkách s rozměrově shodnou základnou připravených různou technologií budou srovnány spektroskopické charakteristiky. Měření budou realizována na kvantových tečkách rostených technikou epitaxe z molekulárních svazků (MBE) a epitaxí z organokovových sloučenin (MOVPE). (cs)
Self assembled InAs quantum dots in GaAs embedded between GaAlAs barriers will be studied by ballistic electron emission microscopy and spectroscopy. On self assembled quantum dots with dimensionally same base, prepared by different technologies, spectroscopy characteristics will be compared. Measurements will be realized on structures grown by molecular beam epitaxy (MBE) and by metalorganic vapor phase epitaxy MOVPE. (en)