Attributes | Values |
---|
rdf:type
| |
Description
| - "Postdoktorský projekt se zaměřuje na problematiku studia (ultra)tenkých vrstev/multivrstev (2D nanostruktur) připravovaných iontovými a molekulárně svazkovými technologiemi a na aplikaci a zdokonalení metod pro in situ hloubkovou analýzu těchto struktur metodami SIMS, TOF-LEIS a XPS. K hloubkové analýze těmito metodami bude využito nízkoenergiové (200-1500 eV) iontové odprašování. Budou studovány zejména magnetické (ultra)tenké vrstvy a multivrstvy (Co/CoN, Ni/NiN, Co/Al2O3, ....), ultratenké vrstvy Ga a GaN, a ""high-k"" dielektrické ultratenké vrstvy (ZrO2, HfO2, ...). Tyto vrstvy jsou připravovány v rámci výzkumného záměru pracoviště navrhovatele. Informace získané hloubkovým profilováním rozšíří zpětnou vazbu při optimalizaci depozičního procesu, cožpovede k lepším požadovaným vlastnostem vytvářených 2D nanostruktur. Motivací studia těchto struktur je detailní poznání a pochopení jevů GMR, TMR a vlastnosti ""high-k"" dielektrických ultratenkých vrstev." (cs)
- "The aim of the proposed project is to study (ultra-)thin films/multilayers (2D nanostructures) prepared by ion and molecular beam technologies and to apply and improve methods for in situ depth profiling by SIMS, TOF-LEIS and XPS methods combined with ion beam sputtering. Low energy primary ions (200-1500 eV) will be used for the depth profiling. Magnetic multilayers (Co/CoN, Ni/NiN, Co/Al2O3, ....), Ga a GaN (ultra)thin films and ""high-k"" dielectric films (ZrO2, HfO2, ...) will be studied. These 2D nanostructures have been deposited within the Research Plan of the proposer lab. Information gained by depth profiling will improve the feedback for the optimization of deposition processes and as a result of that will lead to better properties of fabricated 2D nanostructures. The principal motivation of the study of these structures is a detailed learning and understanding of GMR and TMR phenomena and properties of high-k dielectric ultra-thin films." (en)
|
Title
| - Depth profiling of 2D nanostructures by SIMS, TOF-LEIS and XPS combined with ion beam sputtering (en)
- Hloubkové profilování 2D nanostruktur metodami SIMS, TOF-LEIS a XPS pomocí nízkoenergiového iontového odprašování (cs)
|
http://linked.open...vai/cislo-smlouvy
| |
http://linked.open...avai/druh-souteze
| |
http://linked.open...domain/vavai/faze
| |
http://linked.open...vavai/hlavni-obor
| |
http://linked.open...vavai/id-aktivity
| |
http://linked.open.../vavai/id-souteze
| |
http://linked.open...n/vavai/kategorie
| |
http://linked.open...vai/klicova-slova
| - SIMS; TOF-LEIS; XPS; ion beam sputtering; depth profiling; nanostructures; ultrathin films (en)
|
http://linked.open...avai/konec-reseni
| |
http://linked.open...nujicich-prijemcu
| |
http://linked.open...avai/poskytovatel
| |
http://linked.open...avai/start-reseni
| |
http://linked.open...ai/statni-podpora
| |
http://linked.open...vavai/typProjektu
| |
http://linked.open...ai/uznane-naklady
| |
http://linked.open...ai/pocet-prijemcu
| |
http://linked.open...cet-spoluprijemcu
| |
http://linked.open...ai/pocet-vysledku
| |
http://linked.open...ku-zverejnovanych
| |
is http://linked.open...ain/vavai/projekt
of | |