Heteroepitaxial systems based on semiconductor multilayers are intensively studied due to their extraordinary electrical and optical properties, which depend on the structural quality. In this project, we will investigate morphology of two types of complicated multilayers from materials of type IV and III/V grown by MBE method. Firstly, thick multilayers with large number of non-periodic thin SiGe/Si layers grown in order to design cascade laser structures based on silicon technology. Secondly, multilayers with self-assembled structures of quantum dots and wires. We will be interested in the morphological properties as a state of individual layers (thickness, refractive index), interfaces (correlation function) and quantum objects (spatial arrangement). Investigated samples will be studied by x-ray reflectivity and diffraction methods using laboratory and synchrotron sources. Evaluation of measured data will be based on appropriate growth models. (en)
Heteroepitaxní systémy založené na bázi polovodičových multivrstev jsou dlouhodobě studovány pro své vyjímečné elektrické a optické vlastnosti, které závisí na jejich strukturní kvalitě. V rámci tohoto projektu budeme studovat morfologii dvou typů složitých multivrstev z materiálů typu IV a III/V pěstovaných metodou MBE. Prvním typem budou tlusté multivrstvy s velkým počtem neperiodických tenkých vrstev SiGe/Si pěstovaných za účelem návrhu a konstrukce kaskádového laseru na bázi křemíkové technologie. Druhým typem budou multivrstvy se samouspořádanými strukturami kvantových teček a drátů. Z morfologických vlastností nás budou zajímat zejména stavy jednotlivých vrstev (tloušťky, indexy lomu), rozhraní (korelační funkce) a kvantových objektů (prostorové uspořádání). Pro analýzu zkoumaných vzorků použijeme metody rtg reflexe a difrakce s laboratorními a sychrotronovými zdroji. Naměřená data budou vyhodnocena na základě zformovaných růstových modelů. (cs)