| Attributes | Values |
|---|
| rdf:type
| |
| Description
| - Investigation of the growth and properties of quantum dots (QD) in III-V compound semiconductor materials, mainly in the InAs/GaAs system. Deposition of relatively large volume of the material containing QD by metalorganic vapour phase epitaxy (MOVPE) using the Stranski-Krastanow growth mechanism. Influencing the deposition by the type and crystallographic orientation of the substrate. Trial growth of the GaSb-based structures, and silicon doping of the InAs/GaAs system. Comparison of the MOVPE structures with similar samples grown by molecular beam epitaxy (MBE). Structure and other physical properties of QD samples using X-ray scattering, optical methods, including photoluminescence, reflectivity and ellipsometry, Raman spectroscopy, magnetotransport, and atomic-force and scanning tunneling microscopy. Comparison of luminescence and absorption mechanisms of the optical response. Correlations of the structural, optical and transport properties. Interaction of QDs with dopants in the s (en)
- "Studium růstu a vlastností kvantových teček (""Quantum Dots"" - QD) v polovodičových sloučeninách typu III-V, zejména InAs/GaAs. Příprava relativně velkého objemu materiálu obsahujícího QD metodou plynné epitaxe z organokovových sloučenin (MOVPE), s využitím Stranského-Krastanowova mechanismu růstu. Ovlivnění růstu QD typem a volbou orientace, případně rozorientace, substrátu. Pokusy o růst QD na bázi GaSb a legování systému InAs/GaAs křemíkem. Srovnání struktur vypěstovaných metodou MOVPE se vzorkydeponovanými epitaxí z molekulárních svazků (MBE). Strukturní a jiné fyzikální vlastnosti vzorků QD pomocí rentgenového rozptylu, optických metod (luminiscence, reflektivita a elipsometrie), Ramanovy spektroskopie, magnetotransportu a rastrovacích mikroskopických technik. Srovnání luminiscenčních a absorpčních mechanismů v optické odezvě, v korelaci se strukturními a transportními vlastnostmi. Ovlivnění lokalizovaných elektronových stavů v QD přítomností dopantů v okolní matrici." (cs)
|
| Title
| - Kvantové tečky v polovodičích III-V (cs)
- Quantum dots in III - V semiconductors (en)
|
| http://linked.open...lsi-vedlejsi-obor
| |
| http://linked.open...avai/druh-souteze
| |
| http://linked.open...domain/vavai/faze
| |
| http://linked.open...vavai/hlavni-obor
| |
| http://linked.open...vai/vedlejsi-obor
| |
| http://linked.open...vavai/id-aktivity
| |
| http://linked.open.../vavai/id-souteze
| |
| http://linked.open...n/vavai/kategorie
| |
| http://linked.open...vai/klicova-slova
| |
| http://linked.open...nujicich-prijemcu
| |
| http://linked.open...avai/poskytovatel
| |
| http://linked.open...ai/statni-podpora
| |
| http://linked.open...vavai/typProjektu
| |
| http://linked.open...ai/uznane-naklady
| |
| http://linked.open...ai/pocet-prijemcu
| |
| http://linked.open...cet-spoluprijemcu
| |
| http://linked.open...ai/pocet-vysledku
| |
| http://linked.open...ku-zverejnovanych
| |
| is http://linked.open...ain/vavai/projekt
of | |
![[RDF Data]](/fct/images/sw-rdf-blue.png)
![[cxml]](/fct/images/cxml_doc.png)
![[csv]](/fct/images/csv_doc.png)
![[text]](/fct/images/ntriples_doc.png)
![[turtle]](/fct/images/n3turtle_doc.png)
![[ld+json]](/fct/images/jsonld_doc.png)
![[rdf+json]](/fct/images/json_doc.png)
![[rdf+xml]](/fct/images/xml_doc.png)
![[atom+xml]](/fct/images/atom_doc.png)
![[html]](/fct/images/html_doc.png)