Problematika přípravy ultratenkovrstvých monokrystalických vícenásobných struktur, kde tloušťka jednotlivých vrstev nepřesahuje tzv. kritickou hodnotu (2-10 nm) je mimořádně významná z hlediska materiálového inženýrství, fyziky pevných látek, optoelektroniky atd. Námi navržené technologické řešení modifikuje epitaxní růst z kapalné fáze k tomuto účelu (viz citovaná patentová literatura). Tento patent byl vybrán do nabídkového souboru nových českých technologií pro mezinárodní obchodní forum TECHMART 93,které se bude konat letos v listopadu. Dosud jsme realizovali optimalizovaný funkční vzor tohoto zařízení, ověřili jeho principielní vhodnost k přípravě ultratenkovrstvých struktur, realizovali DC PBH-MQW lasery s využitím těchto struktur (s hodnotami prhových proudů laserové generace pod 30mA v oboru vlnových délek lambda ~ 1,5 _m), ale nemohli jsme provést podrobnou optimalizaci způsobu určení složení tavenin pro tuto technologii. Máme připraven velmi přesný postup k provedení této závěrečné optimali (cs)