| Attributes | Values |
|---|
| rdf:type
| |
| Description
| - Navrhovatelé již několik let připravují a studují polovodičové laserové struktury s jednou či více InAs vrstvami o tloušťce několika atomových rovin a vzdálenými od sebe jednotky nanometrů. Posun poloh maxim El, PL a absorpční hrany struktur se liší v závislosti na tloušťce, počtu a vzdálenosti InAs vrstev a je v řádu stovek MeV. Stávající teorie a modely umožňují vysvětlit tento posuv, v závislosti na výše uvedených parametrech, pouze v řádu desítek meV. Na základě teoretických představ a modelování budou navrženy série laserových struktur, které budou připraveny metodou MOVPE a charakterizovány pomocí EL, PL a laterální fotovodivostní spektroskopie. Získaná data budou využita pro upřesnění teoretických představ, vytvoření adekvátních modelů a simulaci procesu zářivé rekombinace. Cílem projektu je vypracovat model, přispět k teoretickému vysvětlení mechanismu posuvu emisních energií v závislosti na parametrech struktury a využít získané informace při optimalizaci konstrukce laserů. (cs)
- The proposers have been preparing and studyingsemiconductor laser structures with one or more thin InAs layers (several monoatomic layer thick) and only several nanometers apart for several years already. The shift of the position of the El, Pl maxima and that of the absorption edge depend on the thickness, number and separation of these InAs layers and has been found to be in the range of hundreds of MeV. The present theories predict shifts in the range of tens of MeV. New laser structures will be proposed and prepared by MOVPE and studied by EL, PL, and in plane photoconduction spectroscopy. These results will be used for verification of the theoretical models for simulation of the radiative recombination process. The aim of the project is to propose a model, capable of explaining the experimentaly measured shifts of the emission and absorption energies with the change of configuration of the layer structure and use these for the process of optimisation of laser performance. (en)
|
| Title
| - Mechanismus zářivé rekombinace v subnanometrových InAs/GaAs laserových strukturách (cs)
- Radiative recombination machanism of subnanometric InAs/GaAs laser structures (en)
|
| http://linked.open...lsi-vedlejsi-obor
| |
| http://linked.open...avai/druh-souteze
| |
| http://linked.open...domain/vavai/faze
| |
| http://linked.open...vavai/hlavni-obor
| |
| http://linked.open...vai/vedlejsi-obor
| |
| http://linked.open...vavai/id-aktivity
| |
| http://linked.open.../vavai/id-souteze
| |
| http://linked.open...n/vavai/kategorie
| |
| http://linked.open...vai/klicova-slova
| - InAs/GaAs lasers; metal organic vapour phase epitaxy; radiative recombination; subnanometer structures; electroluminiscence; photoluminiscence; photoconductivity (en)
|
| http://linked.open...nujicich-prijemcu
| |
| http://linked.open...avai/poskytovatel
| |
| http://linked.open...ai/statni-podpora
| |
| http://linked.open...vavai/typProjektu
| |
| http://linked.open...ai/uznane-naklady
| |
| http://linked.open...ai/pocet-prijemcu
| |
| http://linked.open...cet-spoluprijemcu
| |
| http://linked.open...ai/pocet-vysledku
| |
| http://linked.open...ku-zverejnovanych
| |
| is http://linked.open...ain/vavai/projekt
of | |
![[RDF Data]](/fct/images/sw-rdf-blue.png)
![[cxml]](/fct/images/cxml_doc.png)
![[csv]](/fct/images/csv_doc.png)
![[text]](/fct/images/ntriples_doc.png)
![[turtle]](/fct/images/n3turtle_doc.png)
![[ld+json]](/fct/images/jsonld_doc.png)
![[rdf+json]](/fct/images/json_doc.png)
![[rdf+xml]](/fct/images/xml_doc.png)
![[atom+xml]](/fct/images/atom_doc.png)
![[html]](/fct/images/html_doc.png)