Attributes | Values |
---|
rdf:type
| |
Description
| - Klasická optická a elektronová litografie zůstávají hlavní technologie v polovodičovém průmyslu ve výrobě i při současné šířce čáry 100 nm. Nová technologie nanotisku do polymerů již pracuje s rozlišením 10 nm. Positivní rezisty pro pokročilou výrobu masek s elektronovými vysokoenergetickými svazky tak musí prodělat zásadní změny. Organické křemíkové nanostrukturní polymerní materiály představují novou skupinu elektronicky aktivních materiálů. Cílem projektu je výzkum procesů vedoucích k formování metastabilních stavů v organických křemíkových polymerech jako jsou slabé vazby, jejich konverze na přerušené vazby a ovlivnění těchto procesů jak výběrem materiálů, tak i aktivních přísad do aktivních křemíkových polymerů. Metodiky, uplatněné v projektu, budou fotoelektronové spektroskopie, efúsní spektroskopie a foto a katodoluminiscence, podporované kvantově chemickými výpočty pro pochopení mikrofyzikálních jevů vedoucích k metastabilitě a degradaci. (cs)
- Classical optical and electron lithography continues to be the main technology used in the semiconductor industry for the fabrication at the current 100 nm design rules.Emerging nanoimprint lithography in polymers has already demonstrated 10nm resolution working principle. Positive tone resists for advanced mask-making with high-voltage electron-beams will thus have to undergo profound changes. Organic silicon nanostructural polymeric materials are a new group of electronically active materials. The aim of the project is the elucidation of processes leading to the formation of metastable states, as weak bonds, and their conversion to dangling bonds by both the choice of materials and active admixtures in organic silicon polymers. The methods applied in the project will be photoelectron spectroscopy, effusion spectroscopy, photo- and cathodoluminescence supported by quantum calculations for understanding of the microphysical phenomena responsible for metastability and degradation. (en)
|
Title
| - KONJUGOVANÉ KŘEMÍKOVÉ POLYMERY PRO REZISTY V NANOTECHNOLOGIÍCH (cs)
- CONJUGATED SILICON – BASED POLYMER RESISTS FOR NANOTECHNOLOGIES (en)
|
http://linked.open...vai/cislo-smlouvy
| |
http://linked.open...lsi-vedlejsi-obor
| |
http://linked.open...avai/druh-souteze
| |
http://linked.open...domain/vavai/faze
| |
http://linked.open...vavai/hlavni-obor
| |
http://linked.open...vai/vedlejsi-obor
| |
http://linked.open...vavai/id-aktivity
| |
http://linked.open.../vavai/id-souteze
| |
http://linked.open...n/vavai/kategorie
| |
http://linked.open...vai/klicova-slova
| - photodestructive changes - polymers, electron resists, nanostructural optoelectronics, dangling bonds, weak bonds, photoelectron spectroscopy of polymers, cathodoluminescence, photoluminescence, effusion spectroscopy, (en)
|
http://linked.open...avai/konec-reseni
| |
http://linked.open...nujicich-prijemcu
| |
http://linked.open...avai/poskytovatel
| |
http://linked.open...avai/start-reseni
| |
http://linked.open...ai/statni-podpora
| |
http://linked.open...vavai/typProjektu
| |
http://linked.open...ai/uznane-naklady
| |
http://linked.open...ai/pocet-prijemcu
| |
http://linked.open...cet-spoluprijemcu
| |
http://linked.open...ai/pocet-vysledku
| |
http://linked.open...ku-zverejnovanych
| |
is http://linked.open...ain/vavai/projekt
of | |