Projekt se zaměří na dvě nekrystalické formy Si, a to amorfní hydrogenizovaný křemík (a-Si:H) a porézní křemík (PS) - s velkým technologickým významem. Prvním cílem je nalézt s pomocí nových vyhodnocovacích metod hustoty stavů a nové techniky urychlené degradace v souvislosti mezi stabilitou a parametry výběžku valenčního pásu a-Si:H, k jehož charakterizaci jsme vybrali driftovou pohyblivost děr. Výzkum bude realizován ve spolupráci se Siemens Central Res. Lab. (Mnichov) a ENEA Res. Lab. (Neapol), a měl by vést k podstatnému zlepšení stability a tudíž širokému použití slunečních článků z a-Si:H. Druhým cílem je zjistit základní transportní a rekombinační mechanismus v PS. Studium se zaměří na samonosný PS a tenké vrstvy PS, připravované nekonvenčními způsoby. Výzkum bude prováděn ve spolupráci s Technische Universität München, CNRS (Grenoble), CLSENES (Sofia) a TU (Budapest). Pochopení mikroskopického původu foto- a elektroluminiscence umožní předpovědět možnosti praktických aplikací (cs)