Attributes | Values |
---|
rdf:type
| |
Description
| - Volt-ampérové charakteristiky homogenních přechodů v GaSb připravených metodou MOVPE byly měřeny v širokém oboru teplot. Ukázalo se, že přenos náboje je výrazně ovlivněn rychlostí růstu epitaxních vrstev GaSb (cs)
- Current-voltage characteristics of GaSb p-n homojunctions prepared by MOVPE were measured in wide temperature range. It was shown that the charge transport is strongly affected by the growth rate of GaSb epitaxial layers
- Current-voltage characteristics of GaSb p-n homojunctions prepared by MOVPE were measured in wide temperature range. It was shown that the charge transport is strongly affected by the growth rate of GaSb epitaxial layers (en)
|
Title
| - Influence of growth rate on charge transport in GaSb homojunctions prepared by metalorganic vapor phase epitaxy
- Influence of growth rate on charge transport in GaSb homojunctions prepared by metalorganic vapor phase epitaxy (en)
- Vliv rychlosti růstu na transport náboje v homogenních přechodech z GaSb připravených epitaxí z organokovů (cs)
|
skos:prefLabel
| - Influence of growth rate on charge transport in GaSb homojunctions prepared by metalorganic vapor phase epitaxy
- Influence of growth rate on charge transport in GaSb homojunctions prepared by metalorganic vapor phase epitaxy (en)
- Vliv rychlosti růstu na transport náboje v homogenních přechodech z GaSb připravených epitaxí z organokovů (cs)
|
skos:notation
| - RIV/68378271:_____/04:00100050!RIV/2005/AV0/A02005/N
|
http://linked.open.../vavai/riv/strany
| |
http://linked.open...avai/riv/aktivita
| |
http://linked.open...avai/riv/aktivity
| - P(GA202/03/0410), P(IAA1010404), P(KSK1010104), Z(AV0Z1010914), Z(MSM 113200002)
|
http://linked.open...iv/cisloPeriodika
| |
http://linked.open...vai/riv/dodaniDat
| |
http://linked.open...aciTvurceVysledku
| |
http://linked.open.../riv/druhVysledku
| |
http://linked.open...iv/duvernostUdaju
| |
http://linked.open...titaPredkladatele
| |
http://linked.open...dnocenehoVysledku
| |
http://linked.open...ai/riv/idVysledku
| - RIV/68378271:_____/04:00100050
|
http://linked.open...riv/jazykVysledku
| |
http://linked.open.../riv/klicovaSlova
| - GaSb; p-n homojunction; charge transport; native defects (en)
|
http://linked.open.../riv/klicoveSlovo
| |
http://linked.open...odStatuVydavatele
| - US - Spojené státy americké
|
http://linked.open...ontrolniKodProRIV
| |
http://linked.open...i/riv/nazevZdroje
| - Journal of Applied Physics
|
http://linked.open...in/vavai/riv/obor
| |
http://linked.open...ichTvurcuVysledku
| |
http://linked.open...cetTvurcuVysledku
| |
http://linked.open...vavai/riv/projekt
| |
http://linked.open...UplatneniVysledku
| |
http://linked.open...v/svazekPeriodika
| |
http://linked.open...iv/tvurceVysledku
| - Hulicius, Eduard
- Pangrác, Jiří
- Toušková, J.
- Mareš, Jiří J.
- Jurka, Vlastimil
- Hubík, Pavel
- Krištofik, Jozef
- Kindl, Dobroslav
- Šimeček, Tomislav
|
http://linked.open...n/vavai/riv/zamer
| |
issn
| |
number of pages
| |