Attributes | Values |
---|
rdf:type
| |
Description
| - The characterization of InP (>10?m) layers prepared by LPE with Pr, Dy or Tb (REE) addition in the melt is reported. The conductivity has been changed from n to p type when REE exceeded certain concentration limit (0.15 wt per cent for Pr, 0.05 wt per cent for Tb and 0.03 for Dy). Comparison of PL peaks of n- and p- type conductivity laeyrs with obtained electrical data lead to conclusion that the dominant acceptor impurity for the n- and p-n type crossover is Ge for Pr addition and Mn for Tb and Dy addition.
- The characterization of InP (>10?m) layers prepared by LPE with Pr, Dy or Tb (REE) addition in the melt is reported. The conductivity has been changed from n to p type when REE exceeded certain concentration limit (0.15 wt per cent for Pr, 0.05 wt per cent for Tb and 0.03 for Dy). Comparison of PL peaks of n- and p- type conductivity laeyrs with obtained electrical data lead to conclusion that the dominant acceptor impurity for the n- and p-n type crossover is Ge for Pr addition and Mn for Tb and Dy addition. (en)
- Práce se zabývá charakterizací vrstev InP (>10?m) připravených kapalnou epitaxí s příměsí Pr, Dy a Tb (REE) v růstové tavenině. Elektrická vodivost se měnila z typu n- na p- v případě, kdy koncentrace REE přesáhla jistý limit (0.15 wt% pro Pr, 0.05 wt% pro Tb a 0.03 wt% pro Dy). Porovnáním PL spekter s elektrickým měřením pro oba typy vrstev jsme došli k závěru, že změna typu vodivosti je způsobena Ge, jestliže jako příměs byl použit Pr. V případě, kdy jako příměsi bylo použito Tb nebo Dy, změnu vodivosti způsobuje Mn. (cs)
|
Title
| - Vliv příměsi Pr, Dy a Tb na fyzikální vlastnosti vrstev InP připravených kapalnou epitaxí (cs)
- Correlation of Pr, Dy and Tb addition with physical properties of InP layers prepared by liquid phase epitaxy
- Correlation of Pr, Dy and Tb addition with physical properties of InP layers prepared by liquid phase epitaxy (en)
|
skos:prefLabel
| - Vliv příměsi Pr, Dy a Tb na fyzikální vlastnosti vrstev InP připravených kapalnou epitaxí (cs)
- Correlation of Pr, Dy and Tb addition with physical properties of InP layers prepared by liquid phase epitaxy
- Correlation of Pr, Dy and Tb addition with physical properties of InP layers prepared by liquid phase epitaxy (en)
|
skos:notation
| - RIV/67985882:_____/03:00105872!RIV/2005/AV0/A13005/N
|
http://linked.open.../vavai/riv/strany
| |
http://linked.open...avai/riv/aktivita
| |
http://linked.open...avai/riv/aktivity
| |
http://linked.open...vai/riv/dodaniDat
| |
http://linked.open...aciTvurceVysledku
| |
http://linked.open.../riv/druhVysledku
| |
http://linked.open...iv/duvernostUdaju
| |
http://linked.open...titaPredkladatele
| |
http://linked.open...dnocenehoVysledku
| |
http://linked.open...ai/riv/idVysledku
| - RIV/67985882:_____/03:00105872
|
http://linked.open...riv/jazykVysledku
| |
http://linked.open.../riv/klicovaSlova
| - rare earth compounds;semiconductors;liqiud phase epitaxial growth (en)
|
http://linked.open.../riv/klicoveSlovo
| |
http://linked.open...ontrolniKodProRIV
| |
http://linked.open...v/mistoKonaniAkce
| |
http://linked.open...i/riv/mistoVydani
| |
http://linked.open...i/riv/nazevZdroje
| - Proceedings 6th International Workshop on Expert Evaluation & Control of Compound Semiconductor Materials & Technologies - EXMATEC'2002
|
http://linked.open...in/vavai/riv/obor
| |
http://linked.open...ichTvurcuVysledku
| |
http://linked.open...cetTvurcuVysledku
| |
http://linked.open...vavai/riv/projekt
| |
http://linked.open...UplatneniVysledku
| |
http://linked.open...iv/tvurceVysledku
| - Grym, Jan
- Zavadil, Jiří
- Žďánský, Karel
- Procházková, Olga
|
http://linked.open...vavai/riv/typAkce
| |
http://linked.open.../riv/zahajeniAkce
| |
number of pages
| |
http://purl.org/ne...btex#hasPublisher
| |
https://schema.org/isbn
| |