| Attributes | Values |
|---|
| rdf:type
| |
| Description
| - Project will bring detailed information about influence of intrinsic defects (atoms of O, C, N) on generation and thermal stability of defects resulting from irradiation of silicon by protons and alphas. The project extends the topic studied within the framework of The Center of basic research LC 06041 and it will use its background and infrastructure. The atoms of O, C, N will be introduced in FZ silicon by ion irradiation. Their subsequent interaction with radiation defects will be studied by electrical methods (DLTS, HVCTS, C-V, I-V) in wide temperature range (100-700 C). Simultaneously, the effect of hydrogen (introduced either by proton irradiation or hydrogenation) on defect stability and electrical activity will be studied. The emphasis will be put on identification of new defects and mechanism of their generation. Their influence on silicon parameters (generation/recombination, doping) will be established to enable their use in development of radiation-hard and fast power devices. (en)
- Navrhovaný projekt se zaměří na získání detailních vědomostí o vlivu intrinzických poruch (atomy O,C,N) na vznik a tepelnou stabilitu defektů, které vnikají při ozáření křemíku energetickými částicemi (protony, alfa-částice). Rozšíří tím problematiku studovanou v rámci Centra základního výzkumu LC 06041, jehož infrastrukturu bude využívat. Atomy O,C,N budou do FZ křemíku zaneseny iontovou implantací a jejich následná interakce s radiačními defekty bude sledována elektrickými metodami (DLTS, HVCTS, C-V, I-V) v širokém rozsahu teplot (100 - 700 oC). Současně bude sledován vliv vodíku, zanášeného buď ozářením protony nebo hydrogenací, na tepelnou stabilitu a elektrickou aktivitu vzniklých poruch. Důraz bude kladen na identifikaci nových poruch a mechanizmů jejich vzniku. Dále bude studován vliv vzniklých poruch na elektrické parametry křemíku (generace a rekombinace, dotace) tak, aby poznatky bylo možné použít při vývoji nových radiačně odolných resp. rychlých polovodičových součástek. (cs)
|
| Title
| - Synthesis of novel defects in silicon by ion irradiation for future application in semiconductor technology. (en)
- Syntéza nových poruch v křemíku pomoci iontového ozářeni pro budoucí aplikace v polovodičové technologii. (cs)
|
| http://linked.open...vai/cislo-smlouvy
| |
| http://linked.open...avai/druh-souteze
| |
| http://linked.open...domain/vavai/faze
| |
| http://linked.open...vavai/hlavni-obor
| |
| http://linked.open...vai/vedlejsi-obor
| |
| http://linked.open...vavai/id-aktivity
| |
| http://linked.open.../vavai/id-souteze
| |
| http://linked.open...n/vavai/kategorie
| |
| http://linked.open...vai/klicova-slova
| - radiation defects; silicon; recombination centers; irradiation with energetic particles; thermodonor (en)
|
| http://linked.open...avai/konec-reseni
| |
| http://linked.open...nujicich-prijemcu
| |
| http://linked.open...avai/poskytovatel
| |
| http://linked.open...avai/start-reseni
| |
| http://linked.open...ai/statni-podpora
| |
| http://linked.open...vavai/typProjektu
| |
| http://linked.open...ai/uznane-naklady
| |
| http://linked.open...ai/pocet-prijemcu
| |
| http://linked.open...cet-spoluprijemcu
| |
| http://linked.open...ai/pocet-vysledku
| |
| http://linked.open...ku-zverejnovanych
| |
| is http://linked.open...ain/vavai/projekt
of | |
![[RDF Data]](/fct/images/sw-rdf-blue.png)
![[cxml]](/fct/images/cxml_doc.png)
![[csv]](/fct/images/csv_doc.png)
![[text]](/fct/images/ntriples_doc.png)
![[turtle]](/fct/images/n3turtle_doc.png)
![[ld+json]](/fct/images/jsonld_doc.png)
![[rdf+json]](/fct/images/json_doc.png)
![[rdf+xml]](/fct/images/xml_doc.png)
![[atom+xml]](/fct/images/atom_doc.png)
![[html]](/fct/images/html_doc.png)