Hybridní organicko-inorganické tenké vrstvy s různými frakcemi kysličníku křemíku byly deponovány v rf kapacitně vázaných výbojích s užitím čistého hexametyldisiloxanu (HMDSO), octametylcyklotetrasiloxanu (D4) nebo 5 % HMDSO v O-2. (cs)
Hybrid organic-inorganic thin films with different fractions of silicon oxide were deposited in rf capacitively coupled discharges using pure hexamethyldisiloxane (HMDSO), octamethylcyclotetrasiloxane (D4) or 5 % HMDSO in O-2.
Hybrid organic-inorganic thin films with different fractions of silicon oxide were deposited in rf capacitively coupled discharges using pure hexamethyldisiloxane (HMDSO), octamethylcyclotetrasiloxane (D4) or 5 % HMDSO in O-2. (en)