Současné změření profilu fotoluminiscence a koncentračního profilu radioaktivních atomů v temperovaných vzorcích CdTe umožnilo kvantitativně odhadnout koncentraci nečistot v polovodiči (cs)
Simultaneous measurement of the profile of photoluminiscence and profile of radiotracer density in annealed CdTe samples allowed a quantitative estimation of impurity density in semiconductor (en)