About: Process recipes for wet silicon oxide formation of various thickness for advanced solar cell structures and in semiconductor applications.

Facets (new session)
Description
Metadata
Settings
- owl:sameAs
- Inference Rule:

About: Process recipes for wet silicon oxide formation of various thickness for advanced solar cell structures and in semiconductor applications. Goto Sponge Distinct Permalink

An Entity of Type : http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/Vysledek, within Data Space : linked.opendata.cz associated with source document(s)

Attributes	Values
rdf:type	skos:Concept http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/Vysledek
Description	Rychlejší alternativou vytváření kvalitních SiO2 vrstev je termická oxidace ve vlhkém prostředí (ve vodní páře). Touto technikou lze při relativně nízkých teplotách a oxidačních časech dosáhnout tlouštěk SiO2 vrstev až několik stovek nm. Proces je ovšem silně náchylný na homogenitu proudění reakčních plynů v reaktoru. Pro finální odladění nastavení celého procesu hrálo podstatnou roli modelování rozložení teploty a proudění v reaktoru pomocí programu CFD-ACE+. Výsledkem je několik řídících programů pro proces vlhké oxidace s cílovou tloušťkou SiO2 vrstvy (na nízko dotovaném substrátu) v rozmezí 100 až 450 nm. Rychlejší alternativou vytváření kvalitních SiO2 vrstev je termická oxidace ve vlhkém prostředí (ve vodní páře). Touto technikou lze při relativně nízkých teplotách a oxidačních časech dosáhnout tlouštěk SiO2 vrstev až několik stovek nm. Proces je ovšem silně náchylný na homogenitu proudění reakčních plynů v reaktoru. Pro finální odladění nastavení celého procesu hrálo podstatnou roli modelování rozložení teploty a proudění v reaktoru pomocí programu CFD-ACE+. Výsledkem je několik řídících programů pro proces vlhké oxidace s cílovou tloušťkou SiO2 vrstvy (na nízko dotovaném substrátu) v rozmezí 100 až 450 nm. (cs) Wet thermal oxidation is faster alternative for SiO2 layer formation of the standard oxidation process in O2. By this technique we are able to achieve SiO2 layers with thickness up to hundreds nm in quite low temperature and process time. Results of this process are highly influenced by the homogeneity of the ambient surrounding the wafer. Final process tuning was acceptable only after numerical modelling the temperature and flow rate distribution within the reactor by the CFD-ACW+ software. As a result few steering programs for the wet thermal oxidation process with final SiO2 thickness 100-450 nm (on lowly doped Si substrates) were verified. (en)
Title	Process recipes for wet silicon oxide formation of various thickness for advanced solar cell structures and in semiconductor applications. (en) Procesní návodky pro vytváření vlhkých maskovacích oxidů různých tlouštěk pro %22advanced%22 struktury solárních článků a pro použití v polovodičovém průmyslu Procesní návodky pro vytváření vlhkých maskovacích oxidů různých tlouštěk pro %22advanced%22 struktury solárních článků a pro použití v polovodičovém průmyslu (cs)
skos:prefLabel	Process recipes for wet silicon oxide formation of various thickness for advanced solar cell structures and in semiconductor applications. (en) Procesní návodky pro vytváření vlhkých maskovacích oxidů různých tlouštěk pro %22advanced%22 struktury solárních článků a pro použití v polovodičovém průmyslu Procesní návodky pro vytváření vlhkých maskovacích oxidů různých tlouštěk pro %22advanced%22 struktury solárních článků a pro použití v polovodičovém průmyslu (cs)
skos:notation	A-2012-12-13-SVVMO_SOL_01 RIV/27711170:_____/12:#0000012!RIV13-TA0-27711170
http://linked.open...avai/riv/aktivita	P
http://linked.open...avai/riv/aktivity	P(TA01020972)
http://linked.open...certifikacniOrgan	SVCS Process Innovation s.r.o., Na Potůčkách 163, Valašské Meziříčí 757 01
http://linked.open.../datumCertifikace	2012-12-13 (xsd:date)
http://linked.open...vai/riv/dodaniDat	2013
http://linked.open...aciTvurceVysledku	Pitrun, Jiří
http://linked.open.../riv/druhVysledku	N/A - Uplatněná certifikovaná metodika
http://linked.open...iv/duvernostUdaju	C - Předmět podléhá obchodnímu tajemství (§17 až 20 Obchodního zákoníku), ale některé údaje jsou upraveny tak, aby byly zveřejnitelné
http://linked.open...onomickeParametry	Znalost %22know-how%22 v dané problematice detailního nastavení procesu vlhké oxidace posiluje kredit výrobce zařízení (SVCS) u svých zákazníků. Metodika může být rovněž využitelná i v polovodičovém průmyslu.
http://linked.open...titaPredkladatele	SVCS Process Innovation s.r.o.
http://linked.open...dnocenehoVysledku	162383
http://linked.open...ai/riv/idVysledku	RIV/27711170:_____/12:#0000012
http://linked.open...terniIdentifikace	SVVMO_SOL_01
http://linked.open...riv/jazykVysledku	cze - čeština
http://linked.open.../riv/klicovaSlova	silicon oxide; wet thermal oxidation of silicon; water steamer (en)
http://linked.open.../riv/klicoveSlovo	silicon oxide water steamer wet thermal oxidation of silicon
http://linked.open...ontrolniKodProRIV	[D77CA85553A9]
http://linked.open...in/vavai/riv/obor	BM
http://linked.open...ichTvurcuVysledku	1 (xsd:int)
http://linked.open...cetTvurcuVysledku	7 (xsd:int)
http://linked.open...vavai/riv/projekt	Modification of the particular technology facilities of the batch processes for the yield enhancement of the highly efficient silicon solar cells using the numerical and physical pre- and post-processing models CFD-ACE+ and Flow Simulation.
http://linked.open...UplatneniVysledku	2012
http://linked.open...echnickeParametry	Modifikací parametrů procesu vlhké oxidace (nastavení díky simulacím v CFD-ACE+) došlo k markantnímu zlepšení homogenity růstu SiO2 vrstev po ploše jednotlivých Si desek i na deskách podél celého reaktoru a to zejména u menších typů oxidačních pecí.
http://linked.open...iv/tvurceVysledku	Bařinka, Radim Bařinková, Pavlína Frantík, Ondřej Poruba, Aleš Wostrý, Petr Čech, Pavel Pitrun, Jiří

Faceted Search & Find service v1.16.118 as of Jun 21 2024

Alternative Linked Data Documents: ODE Content Formats:

RDF

ODATA

Microdata

About

OpenLink Virtuoso version 07.20.3240 as of Jun 21 2024, on Linux (x86_64-pc-linux-gnu), Single-Server Edition (126 GB total memory, 67 GB memory in use)
Data on this page belongs to its respective rights holders.
Virtuoso Faceted Browser Copyright © 2009-2024 OpenLink Software