The project is targeted to the growth of thin graphene layers on SiC monocrystaline substrates and to the study of processes which lead to the conversion of Ni-type contact structures on SiC from Schottky to ohmic behaviour. The Ni/SiC structure connects both proposed fields of study into one. The structure serves for the contact metallization and it can be the source of graphene layer as well. We plan to study the processes of grephene growth by means of the low temperature annealing of the mentioned Ni/SiC structure and by the graphitization of SiC in an argon atmosphere at high temperature. The graphene layers will be analyzed by Raman spectroscopy, AFM microscopy and XPS analysis. We will analyze the possibilities of graphene nanopatterning by means of scanning probe methods and by electron beam lithography. The other part of research will be oriented to the study of VLS epitaxial growth of silicon carbide and to the application of the growth in the preparation of ohmic contact structures. (en)
Předkládaný projekt je zaměřen na růst tenkých grafenových vrstev na substrátech monokrystalického SiC a na studium procesů, které vedou k přeměně kontaktních struktur na bázi Ni/SiC ze Schottkyho přechodu do ohmického kontaktu. Ni/SiC struktura spojuje dvě navrhované problematiky do jednoho komplexu, protože tato struktura se používá jako ohmický kontakt a zároveň může být zdrojem grafenové vrstvy. V projektu je plánováno studium procesů růstu grafenu prostřednictvím žíhání již zmíněné struktury Ni/SiC za nízkých teplot a grafitizací SiC v argonové atmosféře za vysoké teploty. Grafenové vrstvy budou analyzovány Ramanovou spektroskopií, AFM mikroskopií a XPS analýzou. Dále budeme zkoumat možnosti tvarování grafenových vrstev skenovacími hrotovými metodami a elektronovou litografií. Další část výzkumu bude orientována na studium VLS epitaxního růstu karbidu křemíku a na aplikaci tohoto růstu v přípravě ohmických kontaktních struktur.
V rámci projektu byla popsána a publikována řada zajímavých výsledků o přípravě a charakterizaci grafenových vrstev na karbidu křemíku. Cíle projektu byly splněny. Výsledky řešení projektu jsou soustředěny do 6 publikací Jimp. Projekt přispěl k výchově studentů. (cs)
In the frame of the project, interesting results regarding preparation and characterization of graphene thin films on silicon carbide were described and published. The goals of the project were fulfilled. The results of the project solution were published in 6 papers in impacted journals. The project contributed to the education of students. (en)