About: Research and Development of Technologies of Manufacturing of Novel Species of Silicon Wafers     Goto   Sponge   Distinct   Permalink

An Entity of Type : http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/Projekt, within Data Space : linked.opendata.cz associated with source document(s)

AttributesValues
rdf:type
Description
  • Programový projekt je zaměřen na VaV nových procesů růstu krystalů, výroby křemíkových desek a růst epitaxních vrstev. Předmětem VaV růstu krystalů budou křemíkové ingoty orientace (110) a ingoty velkých průměrů (nad 200 mm). Východiskem pro realizaci vývojových testů jsou počítačové simulace Czochralskiho růstu krystalů křemíku a vývoj specifických modulů pro optimalizaci procesu růstu. Vyvinuté krystaly budou využity pro vývoj procesů výroby leštěných křemíkových desek se sub-mikronovou rovinností a sub-nanometrovou drsnosti povrchu vhodných pro pokročilé polovodičové aplikace. VaV procesu růstu pokročilých epitaxních vrstev (AEPI Advanced EPItaxy) je zaměřen na dosažení špičkových parametrů (vysoké radiální homogenity tloušťky vrstvy a koncentrace dopantu; řízeného axiálního profilu dopantu) epitaxních vrstev na křemíkových substrátech průměru 200 mm. (cs)
  • Project is focused on R&D of novel processes of crystal growth, silicon wafers manufacturing and epitaxial layers growth. There are subjects of R&D of crystal growth (110) silicon ingots and large scale ingots (with diameter above 200 mm). Computer simulations of Czochralski silicon crystal growth and development of specific modules for crystal growth optimization are fundamental for R&D tests. Developed ingots will be utilized for development of processes of polished silicon wafers manufacturing including achievement of sub-micron flatness and sub-nanometer surface roughness suitable for advanced semiconductor applications. R&D of Advanced EPItaxial layers growth (AEPI) is focused on achievement of top-level parameters (high radial homogeneity of layer thickness and dopant concentration; controlled axial profile of dopant) of epitaxial layers on 200 mm silicon substrates. (en)
Title
  • Výzkum a vývoj technologií výroby nových typů křemíkových desek (cs)
  • Research and Development of Technologies of Manufacturing of Novel Species of Silicon Wafers (en)
http://linked.open...vai/cislo-smlouvy
http://linked.open...avai/druh-souteze
http://linked.open...domain/vavai/faze
http://linked.open...vavai/hlavni-obor
http://linked.open...vai/vedlejsi-obor
http://linked.open...i/hlavni-ucastnik
http://linked.open...vavai/id-aktivity
http://linked.open.../vavai/id-souteze
http://linked.open...n/vavai/kategorie
http://linked.open...vai/klicova-slova
  • dopant; epitaxy; ingot; crystal; silicon; crystallographic orientation; silicon wafer; computer simulation; semiconductor; crystal growth (en)
http://linked.open...avai/konec-reseni
http://linked.open...nujicich-prijemcu
http://linked.open...avai/poskytovatel
http://linked.open...avai/start-reseni
http://linked.open...ai/statni-podpora
http://linked.open...vavai/typProjektu
http://linked.open...ai/uznane-naklady
http://linked.open...ai/pocet-prijemcu
http://linked.open...cet-spoluprijemcu
http://linked.open...ai/pocet-vysledku
http://linked.open...ku-zverejnovanych
is http://linked.open...ain/vavai/projekt of
Faceted Search & Find service v1.16.118 as of Jun 21 2024


Alternative Linked Data Documents: ODE     Content Formats:   [cxml] [csv]     RDF   [text] [turtle] [ld+json] [rdf+json] [rdf+xml]     ODATA   [atom+xml] [odata+json]     Microdata   [microdata+json] [html]    About   
This material is Open Knowledge   W3C Semantic Web Technology [RDF Data] Valid XHTML + RDFa
OpenLink Virtuoso version 07.20.3240 as of Jun 21 2024, on Linux (x86_64-pc-linux-gnu), Single-Server Edition (126 GB total memory, 39 GB memory in use)
Data on this page belongs to its respective rights holders.
Virtuoso Faceted Browser Copyright © 2009-2024 OpenLink Software