Attributes | Values |
---|
rdf:type
| |
Description
| - It is well known that low dimensional semiconductor structures exhibit electronic and optical properties markedly different from those of bulk materials. This is mainly governed by the finite size inducing charge carrier confinement and quantisation effects on the band energy structure, and by the interface effects enhanced by high specific surfaces. In this framework, silicon carbide (SiC) is an appropriate candidate since its electronic and optical properties can be driven by the crystallite size and structure. The physical properties of nano- and micro-particles SiC will be investigated as a function of the particle size, doping level, C/Si ratios and the conditions of their thermal treatments. Using continuous wave and pulsed magnetic resonance techniques the electronic structure of the paramagnetic impurities and defects in SiC nanostructures and their composites, affected on their photoluminescence properties will be identified. The role of the defect and the particle size in the formation of the nitrogen donor state and its complexes in nanosized SiC will be established (en)
- Je známo, že nízkorozměrné polovodičové struktury vykazují elektronické a optické vlastnosti, velmi odlišné od vlastností objemných krystalů. Převážně se jedná o kvantové prostorové jevy spojené s velikostí a specifickým povrchem částic. Z tohoto hlediska, karbid křemíku (SiC), je vhodným materiálem, jelikož jeho elektronické a optické vlastnosti mohou být ovládány rozměrem krystalitů a strukturou. Fyzikální vlastnosti nano - a mikro-částic SiC budou prozkoumány v závislosti na velikosti částic, hladině dopování, poměru C/Si, a také podmínek tepelného zpracování. Pomocí metody stacionární a pulsní magnetické rezonance budou zjištěny elektronické struktury paramagnetických příměsí a poruch v SiC nanostrukturách a jejich kompozitech, ovlivňujících jejich fotoluminiscenční vlastnosti. Budou určeny role velikosti částic a poruch ve vytvoření donorních stavů dusíku a jeho komplexů v nanorozměrném SiC (cs)
|
Title
| - Výzkum SiC nanostruktur perspektivních pro integrovanou optoelektroniku a spintroniku, pomocí metody magnetické rezonance a optické spektroskopie (en)
- Výzkum SiC nanostruktur perspektivních pro integrovanou optoelektroniku a spintroniku, pomocí metody magnetické rezonance a optické spektroskopie (cs)
|
http://linked.open...vai/cislo-smlouvy
| |
http://linked.open...avai/druh-souteze
| |
http://linked.open...domain/vavai/faze
| |
http://linked.open...vavai/hlavni-obor
| |
http://linked.open...vavai/id-aktivity
| |
http://linked.open.../vavai/id-souteze
| |
http://linked.open...n/vavai/kategorie
| |
http://linked.open...vai/klicova-slova
| - EPR; SiC; nanostrucrures (en)
|
http://linked.open...avai/konec-reseni
| |
http://linked.open...nujicich-prijemcu
| |
http://linked.open...avai/poskytovatel
| |
http://linked.open...avai/start-reseni
| |
http://linked.open...ai/statni-podpora
| |
http://linked.open...vavai/typProjektu
| |
http://linked.open...ai/uznane-naklady
| |
http://linked.open...ai/pocet-prijemcu
| |
http://linked.open...cet-spoluprijemcu
| |
http://linked.open...ai/pocet-vysledku
| |
http://linked.open...ku-zverejnovanych
| |
is http://linked.open...ain/vavai/projekt
of | |