About: Growth and processing of graphene layers on silicon carbide     Goto   Sponge   Distinct   Permalink

An Entity of Type : http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/Projekt, within Data Space : linked.opendata.cz associated with source document(s)

AttributesValues
rdf:type
Description
  • Předkládaný projekt je zaměřen na růst tenkých grafenových vrstev na substrátech monokrystalického SiC a na studium procesů, které vedou k přeměně kontaktních struktur na bázi Ni/SiC ze Schottkyho přechodu do ohmického kontaktu. Ni/SiC struktura spojuje dvě navrhované problematiky do jednoho komplexu, protože tato struktura se používá jako ohmický kontakt a zároveň může být zdrojem grafenové vrstvy. V projektu je plánováno studium procesů růstu grafenu prostřednictvím žíhání již zmíněné struktury Ni/SiC za nízkých teplot a grafitizací SiC v argonové atmosféře za vysoké teploty. Grafenové vrstvy budou analyzovány Ramanovou spektroskopií, AFM mikroskopií a XPS analýzou. Dále budeme zkoumat možnosti tvarování grafenových vrstev skenovacími hrotovými metodami a elektronovou litografií. Další část výzkumu bude orientována na studium VLS epitaxního růstu karbidu křemíku a na aplikaci tohoto růstu v přípravě ohmických kontaktních struktur. (cs)
  • The project is targeted to the growth of thin graphene layers on SiC monocrystaline substrates and to the study of processes which lead to the conversion of Ni-type contact structures on SiC from Schottky to ohmic behaviour. The Ni/SiC structure connects both proposed fields of study into one. The structure serves for the contact metallization and it can be the source of graphene layer as well. We plan to study the processes of grephene growth by means of the low temperature annealing of the mentioned Ni/SiC structure and by the graphitization of SiC in an argon atmosphere at high temperature. The graphene layers will be analyzed by Raman spectroscopy, AFM microscopy and XPS analysis. We will analyze the possibilities of graphene nanopatterning by means of scanning probe methods and by electron beam lithography. The other part of research will be oriented to the study of VLS epitaxial growth of silicon carbide and to the application of the growth in the preparation of ohmic contact structures. (en)
Title
  • Růst a zpracování gafenových vrstev na karbidu křemíku (cs)
  • Growth and processing of graphene layers on silicon carbide (en)
http://linked.open...vai/cislo-smlouvy
http://linked.open...lsi-vedlejsi-obor
http://linked.open...avai/druh-souteze
http://linked.open...domain/vavai/faze
http://linked.open...vavai/hlavni-obor
http://linked.open...vai/vedlejsi-obor
http://linked.open...i/hlavni-ucastnik
http://linked.open...vavai/id-aktivity
http://linked.open.../vavai/id-souteze
http://linked.open...n/vavai/kategorie
http://linked.open...vai/klicova-slova
  • carbon; graphene; silicon carbide; AFM; Raman spectroscopy; electron lithography (en)
http://linked.open...avai/konec-reseni
http://linked.open...nujicich-prijemcu
http://linked.open...avai/poskytovatel
http://linked.open...avai/start-reseni
http://linked.open...ai/statni-podpora
http://linked.open...vavai/typProjektu
http://linked.open...ai/uznane-naklady
http://linked.open...ai/pocet-prijemcu
http://linked.open...cet-spoluprijemcu
http://linked.open...ai/pocet-vysledku
http://linked.open...ku-zverejnovanych
is http://linked.open...ain/vavai/projekt of
Faceted Search & Find service v1.16.118 as of Jun 21 2024


Alternative Linked Data Documents: ODE     Content Formats:   [cxml] [csv]     RDF   [text] [turtle] [ld+json] [rdf+json] [rdf+xml]     ODATA   [atom+xml] [odata+json]     Microdata   [microdata+json] [html]    About   
This material is Open Knowledge   W3C Semantic Web Technology [RDF Data] Valid XHTML + RDFa
OpenLink Virtuoso version 07.20.3240 as of Jun 21 2024, on Linux (x86_64-pc-linux-gnu), Single-Server Edition (126 GB total memory, 39 GB memory in use)
Data on this page belongs to its respective rights holders.
Virtuoso Faceted Browser Copyright © 2009-2024 OpenLink Software