Attributes | Values |
---|
rdf:type
| |
rdfs:seeAlso
| |
Description
| - The project focuses on the deposition of metal nanoparticles onto surfaces of epitaxial layers of III-V semiconductors to prepare high-quality Schottky barriers and to investigate their potential application in the detection of hazardous gases. Advanced characterization techniques are employed to study the metal-semiconductor interface and to characterize the local interfacial structure. (en)
- Příprava struktur kovové nanočástice-polovodič III-V na epitaxních vrstvách různého složení připravených z kapalné a plynné fáze. Charakterizace a modelování tohoto rozhraní a studium optických vlastností. Možnosti aplikace v senzorech vodíku.
|
Title
| - Role of the interface in the preparation of high quality Schottky barriers on III-V semiconductors. (en)
- Úloha rozhraní při přípravě Schottkyho bariér vysoké kvality na polovodičích III-V
|
skos:notation
| |
http://linked.open...avai/cep/aktivita
| |
http://linked.open...kovaStatniPodpora
| |
http://linked.open...ep/celkoveNaklady
| |
http://linked.open...datumDodatniDoRIV
| |
http://linked.open...i/cep/druhSouteze
| |
http://linked.open...ep/duvernostUdaju
| |
http://linked.open.../cep/fazeProjektu
| |
http://linked.open...ai/cep/hlavniObor
| |
http://linked.open...hodnoceniProjektu
| |
http://linked.open...vai/cep/kategorie
| |
http://linked.open.../cep/klicovaSlova
| - III-V semiconductors epitaxial layers metal nonoparticles metal-semiconductor interface Schottky barrier (en)
|
http://linked.open...ep/partnetrHlavni
| |
http://linked.open...inujicichPrijemcu
| |
http://linked.open...cep/pocetPrijemcu
| |
http://linked.open...ocetSpoluPrijemcu
| |
http://linked.open.../pocetVysledkuRIV
| |
http://linked.open...enychVysledkuVRIV
| |
http://linked.open...lneniVMinulemRoce
| |
http://linked.open.../prideleniPodpory
| |
http://linked.open...iciPoslednihoRoku
| |
http://linked.open...atUdajeProjZameru
| |
http://linked.open.../vavai/cep/soutez
| |
http://linked.open...usZobrazovaneFaze
| |
http://linked.open...ai/cep/typPojektu
| |
http://linked.open...ep/ukonceniReseni
| |
http://linked.open.../cep/vedlejsiObor
| |
http://linked.open...ep/zahajeniReseni
| |
http://linked.open...jektu+dodavatelem
| - Připravili jsme Schottkyho struktury grafit/kovové nanočástice/polovodičová epitaxní vrstva s vynikajicími parametry. Transportní vlastnosti rozhraní byly popsány generačně rekombinační teorií v oblasti prostorového náboje. Ukázali jsme, že tyto struktury jsou použitelné při detekci velmi nízkých koncentrací vodíku. (cs)
- We prepared Schottky structures graphite/metal nanoparticles/semiconductor epitaxial layer with excellent parameters. Transport properties of the interface were described by the generation-recombination theory in the space charge region. We showed that these structures are capable of detecting very low concentrations of hydrogen. (en)
|
http://linked.open...tniCyklusProjektu
| |
is http://linked.open...vavai/cep/projekt
of | |