V rámci navrhovaného projektu budou zkoumány dislokace v tenkých vrstvách. Jedná se o experimentální studium pomocí difuzního rtg rozptylu a vypracování teoretického popisu difuzního rozptylu na dislokacích v nízkodimenzionálních strukturách s cílem nalezení metody stanovení hustoty dislokací a korelace poloh dislokací různých typů. Měření bude prováděno na relaxovaných epitaxních polovodičových vrstvách Ge na Si a SiGe na Si s konstantní a proměnnou koncentrací Ge. Získané informace o rozložení dislokací bude srovnáno s transmisní elektronovou mikroskopií příčných řezů. (cs)
The proposed project will be devoted to experimental studies of dislocations in epitaxial thin films. We will focus mainly on diffuse x-ray scattering. Theoretical description of diffuse x-ray scattering from dislocations will be generalized for low-dimensional structures in order to obtain a method for determining the dislocation density and correlation of the dislocation positions. Measurements are carried out on epitaxial layers Ge on Si substrates and on constant and graded layers SiGe on Si. Information on the dislocation cofiguration obtained from the diffuse scattering measurement is compared with cross-sectional transmission electron microscopy. (en)