| Attributes | Values |
|---|
| rdf:type
| |
| Description
| - Structures with high values of misfit (5-7%) and strain may result in two possible epitaxial structures according to technological parameters: quantum dots (QD) and isovalent delta-layers (IDL) - i.e. ultrathin quantum wells with thickness of only fewatomic layers. The use of these structures in laser active region may lead to much better parameters compared with conventional quantum wells lasers (lower threshold current density, better temperature stability of threshold current, higher differentialefficiency, higher power and lower losses). The main part of the work will be devoted to the design and MOVPE preparation of QD and IDL structures based on InAs/GaAs and InSb/GaSb, optimisation of technological parameters of preparation and increasinglocalization energy in QDs. Structures suitable for laser active regions in desired wavelength ranges (1300nm - the window in fibre wave guides, midi infrared region) and AlGaAs wave guide prepared without destroying the QD luminescence be the main goal. (en)
- Struktury s vysokým mřížkovým nepřizpůsobením (5-7%) a tedy s vysokým pnutím ve struktuře vedou podle nastavení technologických parametrů ke dvěma možným epitaxním strukturám: kvantovým tečkám (QD) a isovalentním delta vrstvám (IDL) - ultratenkýmkvantovým jamám s tloušťkou jen několika atomových rovin. Použití těchto struktur v aktivní oblasti laserů umožňují dosáhnout podstatně lepších parametrů ve srovnání s lasery s kvantovými jamami (nižší prahová proudová hustota, teplotní stabilitaprahového proudu, vyšší výkon a diferenciální zisk, nižší ztráty). Těžiště práce bude spočívat v návrhu a realizaci luminiscenčních struktur s kvantovými tečkami a ultratenkými vrstvami na bázi InAs/GaAs a InSb/GaSb, optimalizace jejich přípravy, zvýšenílokalizační energie QD. Cílem je nalezení optimálních struktur pro použití v laserech s ohledem na požadované vlnové délky (1300nm - okno ve vláknových vlnovodech, střední infračervená oblast) a pokus o vytvoření AlGaAs vlnovodu struktur s QD při (cs)
|
| Title
| - Strained quantum size semiconductor structures prepared by MOVPE (en)
- Kvantově rozměrné polovodičové struktury připravené technologií MOVPE (cs)
|
| http://linked.open...lsi-vedlejsi-obor
| |
| http://linked.open...avai/druh-souteze
| |
| http://linked.open...domain/vavai/faze
| |
| http://linked.open...vavai/hlavni-obor
| |
| http://linked.open...vai/vedlejsi-obor
| |
| http://linked.open...vavai/id-aktivity
| |
| http://linked.open.../vavai/id-souteze
| |
| http://linked.open...n/vavai/kategorie
| |
| http://linked.open...vai/klicova-slova
| |
| http://linked.open...nujicich-prijemcu
| |
| http://linked.open...avai/poskytovatel
| |
| http://linked.open...ai/statni-podpora
| |
| http://linked.open...vavai/typProjektu
| |
| http://linked.open...ai/uznane-naklady
| |
| http://linked.open...ai/pocet-prijemcu
| |
| http://linked.open...cet-spoluprijemcu
| |
| http://linked.open...ai/pocet-vysledku
| |
| http://linked.open...ku-zverejnovanych
| |
| is http://linked.open...ain/vavai/projekt
of | |
![[RDF Data]](/fct/images/sw-rdf-blue.png)
![[cxml]](/fct/images/cxml_doc.png)
![[csv]](/fct/images/csv_doc.png)
![[text]](/fct/images/ntriples_doc.png)
![[turtle]](/fct/images/n3turtle_doc.png)
![[ld+json]](/fct/images/jsonld_doc.png)
![[rdf+json]](/fct/images/json_doc.png)
![[rdf+xml]](/fct/images/xml_doc.png)
![[atom+xml]](/fct/images/atom_doc.png)
![[html]](/fct/images/html_doc.png)